[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010163633.6 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101847575A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介;上村智喜;冈久拓司;上松康二;奥井学;西冈志行;桥本信 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：
制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及
在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中
所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，
所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且
所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。
2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中
所述耐受电压为至少800V，并且
所述总位错密度为至少2×102cm-2并且至多1×105cm-2。
3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述基板(12)具有至多0.08Ω·cm的电阻率。
4.根据权利要求3的制造半导体器件的方法，其中所述基板(12)用Si掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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