[发明专利]一种压焊块金属层加厚的芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种压焊块金属层加厚的芯片，包括硅衬底、硅衬底上的金属层、金属层上的钝化层以及压焊块，其特征在于：所述压焊块的金属层厚度大于金属走线的金属层厚度。

2.如权利要求1所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述压焊块的金属层厚度取决于芯片封装时采用铜线打线的情况下铜线的直径，铜线的直径越大，压焊块的金属层厚度越厚；压焊块的金属层厚度以采用一定直径的铜线打线时不被打穿的厚度要求为最低限。

3.如权利要求2所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线直径的取值范围在0.8mil～6.0mil之间，相应地，压焊块金属层厚度的取值范围在1.0μm～8.0μm之间。

4.如权利要求3所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线的直径为0.8mil时，压焊块金属层厚度为1.0μm。

5.如权利要求3所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线的直径为1.0mil时，压焊块金属层厚度的取值范围在1.5μm～8.0μm之间。

6.如权利要求3所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线的直径为1.2mil时，压焊块金属层厚度的取值范围在2.0μm～8.0μm之间。

7.如权利要求3所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线的直径为1.5mil或2.0mil时，压焊块金属层厚度的取值范围在3.0μm～8.0μm之间。

8.如权利要求3所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线的直径为3.0mil或4.0mil时，压焊块金属层厚度的取值范围在4.0μm～8.0μm之间。

9.如权利要求3所述的压焊块金属层加厚的芯片，其特征在于：所述铜线的直径为5.0mil或6.0mil时，压焊块金属层厚度的取值范围在6.0μm～8.0μm之间。

10.一种压焊块金属层加厚芯片的制造方法，包括

根据芯片的功能，在硅衬底表面上进行金属层的溅射、光刻和刻蚀，完成芯片内的金属走线，同时形成压焊块的步骤；

钝化层生长、光刻和刻蚀，将压焊块区域刻蚀出来的步骤；

其特征在于：所述方法还包括在钝化层表面上再次进行金属层的溅射、光刻和刻蚀的步骤，保留压焊块区域的金属。