[发明专利]集成型半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成型半导体激光元件，其特征在于：

包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和

在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；

所述第1半导体激光元件在所述凸部的下方具有活性层，

所述第1发光区域位于所述第1半导体激光元件的所述活性层内，

所述凸部经接合层嵌入所述凹部中，

所述第1发光区域和所述第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。

2.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述第1发光区域位于所述凸部的下方。

3.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述第2半导体激光元件具有隆起、并且在所述隆起的下方具有活性层。

4.根据权利要求3所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述第2发光区域位于所述第2半导体激光元件的所述活性层内、并且位于所述隆起的下方。

5.根据权利要求3所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述隆起向所述凸部侧突出。

6.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件的至少一方还包含形成所述凸部或所述凹部的基板。

7.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述凸部具有顶端部侧的宽度比根部侧的宽度小的锥形，

所述凹部具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的锥形。

8.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

所述第1半导体激光元件还包含配置于所述第2半导体激光元件侧、向所述第1发光区域供电的第1电极，

所述第2半导体激光元件还包含配置于所述第1半导体激光元件侧、向所述第2发光区域供电的第2电极，

至少在所述第1电极与所述第2电极之间配置绝缘膜。

9.一种集成型半导体激光元件，其特征在于：

包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和

在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；

所述第1半导体激光元件的所述凸部嵌入所述第2半导体激光元件的所述凹部中，

所述第1半导体激光元件在所述凸部的下方具有活性层，

所述凸部的下方的所述活性层成为所述第1发光区域，

所述第1半导体激光元件还包含配置于所述第2半导体激光元件侧、向所述第1发光区域供电的第1电极，

所述第2半导体激光元件还包含配置于所述第1半导体激光元件侧、向所述第2发光区域供电的第2电极，

在所述第1电极和所述第2电极之间配置有绝缘膜。

10.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

在所述第1电极或所述第2电极上配置有绝缘膜。

11.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于；

所述绝缘膜形成于所述凸部上。

12.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

在所述绝缘膜中形成开口部，同时，在所述第2半导体激光元件的对应于所述绝缘膜的所述开口部的区域中，形成沿所述半导体层的层叠方向延伸的第1接触孔，

所述第1电极经所述第1接触孔和所述绝缘膜的所述开口部，从所述第2半导体激光元件侧与外部电连接。

13.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于：

还包括第3半导体激光元件，该第3半导体激光元件包含第3发光区域和第3电极，该第3电极配置在所述第1半导体激光元件侧，向所述第3发光区域供电，

所述绝缘膜，除了配置在所述第1电极与所述第2电极之间以外，还配置在所述第1电极与所述第3电极之间。