[发明专利]通孔刻蚀方法无效
申请号: | 201010164263.8 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN102237296A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 池玟霆;刘选军;喻涛;祝长春 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
1.一种通孔刻蚀方法,包括:
提供半导体基底,所述半导体基底上依次形成有金属互连线、阻挡层以及介质层;
在所述介质层上形成具有通孔图形的光阻层;
以所述具有通孔图形的光阻层为掩膜,刻蚀部分所述介质层以形成开口;
利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层;
继续刻蚀所述开口内的剩余的介质层和所述阻挡层,直至暴露出所述金属互连线,以形成通孔。
2.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述金属互连线是铜互连线。
3.如权利要求1或2所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层之后,还包括:对所述半导体基底执行氢气处理工艺的步骤。
4.如权利要求3所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述氢气处理工艺的温度是10~30℃。
5.如权利要求4所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述氧气等离子灰化工艺的温度是10~30℃。
6.如权利要求5所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,对所述半导体基底执行氢气处理工艺之后,还包括:清洗所述半导体基底的步骤。
7.如权利要求6所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,清洗所述半导体基底采用的化学试剂包括硫酸和双氧水。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述阻挡层的材质是氮化硅。
9.如权利要求8所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述介质层的材质是氧化硅。
10.如权利要求9所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,刻蚀部分所述介质层时采用的刻蚀气体包括四氟化碳、三氟甲烷和氩气。
11.如权利要求10所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,刻蚀所述通孔区内剩余的介质层和所述阻挡层时采用的刻蚀气体包括四氟化碳和氮气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010164263.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造