[发明专利]通孔刻蚀方法无效

专利信息
申请号: 201010164263.8 申请日: 2010-04-29
公开(公告)号: CN102237296A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 池玟霆;刘选军;喻涛;祝长春 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 刻蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种通孔刻蚀方法,包括:

提供半导体基底,所述半导体基底上依次形成有金属互连线、阻挡层以及介质层;

在所述介质层上形成具有通孔图形的光阻层;

以所述具有通孔图形的光阻层为掩膜,刻蚀部分所述介质层以形成开口;

利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层;

继续刻蚀所述开口内的剩余的介质层和所述阻挡层,直至暴露出所述金属互连线,以形成通孔。

2.如权利要求1所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述金属互连线是铜互连线。

3.如权利要求1或2所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层之后,还包括:对所述半导体基底执行氢气处理工艺的步骤。

4.如权利要求3所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述氢气处理工艺的温度是10~30℃。

5.如权利要求4所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述氧气等离子灰化工艺的温度是10~30℃。

6.如权利要求5所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,对所述半导体基底执行氢气处理工艺之后,还包括:清洗所述半导体基底的步骤。

7.如权利要求6所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,清洗所述半导体基底采用的化学试剂包括硫酸和双氧水。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述阻挡层的材质是氮化硅。

9.如权利要求8所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述介质层的材质是氧化硅。

10.如权利要求9所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,刻蚀部分所述介质层时采用的刻蚀气体包括四氟化碳、三氟甲烷和氩气。

11.如权利要求10所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,刻蚀所述通孔区内剩余的介质层和所述阻挡层时采用的刻蚀气体包括四氟化碳和氮气。

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