[发明专利]一种透射电子显微镜观测样品制备方法

权利要求书

1.一种透射电子显微镜观测样品制备方法，提供一半导体器件，所述半导体器件包括衬底和位于所述衬底上的图形层，其特征在于，包括以下步骤：

在所述图形层的表面选定电镜观测区域，去除同所述电镜观测区域一边相邻的图形层及衬底，暴露出所述电镜观测区域该边的图像层截面和衬底层截面；

去除所述半导体器件衬底的大部分，保留5um至15um厚度的衬底；

对所述电镜观测区域内的衬底进行削切，形成一贯通槽，所述贯通槽在所述图形层至所述衬底的方向贯通于所述衬底内；

对与所述贯通槽相邻的所述暴露出的电镜观测区域一边的图形层截面进行削切，使得所述图形层截面上的需观测图层上包括无其他图层和衬底在该图层的前后对该图层进行遮挡的特定部分，所述各图层的特定部分共同构成图形层观测区；

对所述半导体器件进行削切，使得包含所述图形层观测区的器件尺寸符合透射电子显微镜的样品尺寸要求，形成透射电子显微镜观测样品。

2.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，所述去除同所述电镜观测区域一边相邻的图形层及衬底的方法为对所述半导体器件的一个侧面进行机械研磨。

3.如权利要求2所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，在进行所述机械研磨之前，在所述半导体器件上与进行机械研磨的侧面相对的另一侧面上粘附一T型研磨夹具，完成研磨后，去除所述T型研磨夹具。

4.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，所述去除所述半导体器件的衬底的方法为对所述半导体器件的衬底进行机械研磨。

5.如权利要求4所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，进行所述机械研磨前，首先在紧邻所述电镜观测区域的所述图形层的表面粘附一半圆铜环；其次在所述半圆铜环上粘附一玻璃板；最后在所述玻璃板上再粘附一T型研磨夹具，完成所述机械研磨后，去除所述玻璃板及所述T型研磨夹具。

6.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，所述对所述电镜观测区域内的衬底进行削切，形成一贯通槽的方法为采用聚焦离子束对所述电镜观测区域内的衬底进行削切，形成所述贯通槽。

7.如权利要求6所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，所述聚焦离子束的电流为3nA至20nA。

8.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，所述对与所述贯通槽相邻的所述暴露出的电镜观测区域一边的图形层截面进行削切的方法为采用聚焦离子束对所述图形层截面上的各个图层依次进行削切。

9.如权利要求8所述的透射电子显微镜观测样品制备方法，其特征在于，所述聚焦离子束的电流为1nA至30pA。