[发明专利]用于具有磷酸钙的植入物的方法和装置无效

专利信息
申请号: 201010164350.3 申请日: 2010-04-15
公开(公告)号: CN101879328A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: W·童;L·萨尔瓦蒂;P·卡丹比 申请(专利权)人: 德普伊产品公司
主分类号: A61L27/32 分类号: A61L27/32;A61F2/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曹小刚;李连涛
地址: 美国印*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 具有 磷酸钙 植入 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种制备植入物表面的方法,包括:

使金属性基材暴露于第一配方以在所述金属性基材上形成第一化学改性的纹理化表面,所述第一纹理化表面通过第一多个表面凹坑来表征,所述第一多个表面凹坑具有在从约200纳米至约10微米范围内的第一平均开口尺寸;和

使所述金属性基材暴露于第二配方以在所述金属性基材上形成第二化学改性的纹理化表面,所述第二纹理化表面通过第二多个表面凹坑来表征,所述第二多个表面凹坑具有在从约40纳米至约200纳米范围内的第二平均开口尺寸,

与使所述表面仅暴露于所述第一配方和所述第二配方之一相比,所述表面能够增强磷酸钙在所述表面上的形成。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

用第三配方处理所述金属性基材以在所述第一纹理化表面和所述第二纹理化表面上形成含磷酸钙的层。

3.根据权利要求1所述的方法,其中使所述金属性基材暴露于所述第一配方的步骤是在使所述金属性基材暴露于所述第二配方的步骤之前进行。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属性基材包括钴铬合金和钛合金中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一配方包含第一氢卤酸和氧化剂。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二配方包含第二氢卤酸,所述第二配方基本上不含氧化剂。

7.根据权利要求1所述的方法,其还包括:

在所述的暴露所述金属性基材的步骤之前以机械方式将所述金属性基材的表面粗糙化。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一多个表面凹坑具有在约50nm至约500nm范围内的第一平均深度尺寸。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二多个表面凹坑具有在约5nm至约50nm范围内的第二平均深度尺寸。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述的使所述金属性基材暴露于所述第二配方的步骤包括使所述金属性基材暴露至少约5分钟的时间。

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