[发明专利]导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201010164554.7 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102237153A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 裴绍凯 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/04;H01B1/02;H01B13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电膜，其包括碳纳米管网状结构层，该碳纳米管网状结构层具有多个网洞，其特征在于，该导电膜还包括多个纳米导电粒子，该多个纳米导电粒子填充该多个网洞。
2.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，该纳米导电粒子为金、银、铜、铝或上述两种或两种以上金属所形成的合金。
3.一种导电膜的制造方法，其包括：
提供基板及碳纳米管薄膜；
将该碳纳米管薄膜设置在该基板上以形成碳纳米管网状结构层，该碳纳米管网状结构层具有多个网洞；
将该碳纳米管网状结构层的温度保持在7至9摄氏度范围内，并向该碳纳米管网状结构层加入纳米导电粒子水溶液并使该水溶液分散于该碳纳米管网状结构层，该纳米导电粒子水溶液包括多个纳米导电粒子；及
使该碳纳米管网状结构层的温度上升至24至26摄氏度范围内并干燥该碳纳米管网状结构层，使该多个纳米导电粒子填充该多个网洞以得到该导电膜。
4.如权利要求3所述的导电膜的制造方法，其特征在于，在将该碳纳米管薄膜设置在该基板前还包括：于该基板设置紫外线硬化树酯层，该碳纳米管网状结构层形成在该紫外线硬化树酯层上。
5.如权利要求4所述的导电膜的制造方法，其特征在于，在将该碳纳米管网状结构层的温度保持在7至9摄氏度范围内前还包括：固化该紫外线硬化树酯层使该紫外线硬化树酯层固定该碳纳米管网状结构层。
6.如权利要求4所述的导电膜的制造方法，其特征在于，该碳纳米管网状结构层形成在该紫外线硬化树酯层上包括：在该紫外线硬化树酯层上形成第一碳纳米管网状结构层；
固化该紫外线硬化树酯层使该紫外线硬化树酯层固定该第一碳纳米管网状结构层；及
在该第一碳纳米管网状结构层上形成第二碳纳米管网状结构层以使该第一碳纳米管网状结构层及该第二碳纳米管网状结构层形成该碳纳米管网状结构层。
7.如权利要求3所述的导电膜的制造方法，其特征在于，该基板的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
8.如权利要求3所述的导电膜的制造方法，其特征在于，该纳米导电粒子水溶液为金、银、铜、铝或上述两种或两种以上金属所形成的合金的水溶液。
9.如权利要求3所述的导电膜的制造方法，其特征在于，将该碳纳米管网状结构层的温度保持在8摄氏度。
10.如权利要求3所述的导电膜的制造方法，其特征在于，使该碳纳米管网状结构层的温度上升至25摄氏度。
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