[发明专利]微机电系统麦克风的晶片级封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统麦克风的晶片级封装结构，包括：

基底；

多个介电层，堆叠于该基底上；

微机电振膜，配置于该多个介电层的其中两相邻的介电层之间，且该微机电振膜与该基底之间有第一腔室；

多个支撑环，分别配置于部分该多个介电层中，且该多个支撑环相互堆叠，位于较下层的该支撑环的内径大于位于较上层的该支撑环的内径，且最上层的该支撑环位于最上层的该介电层中；以及

保护层，配置于最上层的该支撑环上，且遮盖该微机电振膜，其中该微机电振膜与该保护层之间有第二腔室，且该保护层具有暴露出该微机电振膜的多个第一贯孔。

2.如权利要求1所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，其中该多个支撑环的材料包括金属。

3.如权利要求1所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，其中该保护层的材料包括塑料、介电材料或金属。

4.如权利要求1所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，还包括电极层，配置于该基底上或基底中，其中该电极层的相对于该微机电振膜的部分有多个第二贯孔，且该基底的相对于该微机电振膜的部分为镂空区。

5.如权利要求1所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，还包括保护环，位于该微机电振膜下方的部分该多个介电层中并围绕该第一腔室。

6.如权利要求5所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，其中该保护环的材料包括金属。

7.如权利要求5所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，其中最下层的该支撑环及该微机电振膜耦接至该保护环。

8.如权利要求1所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构，还包括：

金属氧化物半导体元件，位于该基底上，且该多个介电层还覆盖该金属氧化物半导体元件；

多层导线；以及

多个介层窗插塞，其中该多个导线、该多个介层窗插塞以及该多个介电层构成内连线结构，该内连线结构电性连接至该金属氧化物半导体元件，该多个介电层与该多个导线交错堆叠，且该多个介层窗插塞形成于该多个介电层中并电性连接对应的相邻两层导线。

9.一种微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，包括：

在基底上依序形成多层介电层，并在该多个介电层的其中两相邻的介电层之间形成微机电振膜，且在部分该多个介电层中分别形成支撑环，该多个支撑环相互堆叠，其中最上层的该支撑环位于最上层的该介电层中，且位于较下层的该支撑环的内径大于位于较上层的该支撑环的内径；

在最上层的该支撑环上形成保护层，以覆盖该微机电振膜，其中该保护层具有多个第一贯孔；以及

在该微机电振膜与该基底之间形成第一腔室，并在该保护层与该微机电振膜之间形成第二腔室。

10.如权利要求9所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中在依序形成该多个介电层之前还包括在该基底上或基底中形成电极层。

11.如权利要求10所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中形成该第一腔室的步骤包括：

移除该微机电振膜下方的部分该基底，以在该基底形成暴露出该电极层的镂空区；

在该电极层形成多个第二贯孔；以及

以所述多个第二贯孔为蚀刻通道，移除位于该微机电振膜与该电极层之间的部分介电层，以形成该第一腔室。

12.如权利要求9所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中该支撑环的材料包括金属。

13.如权利要求9所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中该保护层的材料包括塑料、介电材料或金属。

14.如权利要求9所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中在形成该多个介电层时还包括在部分所述多个介电层中形成保护环，且最下层的该支撑环位于该保护环上并耦接至该保护环。

15.如权利要求9所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中在形成该多个介电层之前还包括在该基底上形成金属氧化物半导体元件，而该多个介电层覆盖该金属氧化物半导体元件。

16.如权利要求15所述的微机电系统麦克风的晶片级封装结构的制造方法，其中在形成该多个介电层时还包括形成多层导线及多个介层窗插塞，该多个导线、该多个介层窗插塞以及该多个介电层构成内连线结构，该内连线结构电性连接至该金属氧化物半导体元件，该多个介电层与该多个导线交错堆叠，且该多个介层窗插塞形成于该多个介电层中并电性连接对应的相邻两层导线。