[发明专利]集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构，所述衬底上形成有集成无源器件，其特征在于，所述测量结构包括：

形成于所述衬底表面的第一硅化物区域和第二硅化物区域；

第一氧化层，形成于所述衬底上；

第一顶层金属区域和第二顶层金属区域，形成于所述第一氧化层上，且与所述第一硅化物区域和第二硅化物区域相对设置；

第一通孔和第二通孔，形成于所述第一氧化层中，所述第一通孔用于电连接所述第一硅化物区域和所述第一顶层金属区域，所述第二通孔用于电连接所述第二硅化物区域和所述第二顶层金属区域；

钝化层，形成于所述第一顶层金属区域和第二顶层金属区域的表面，且所述钝化层中形成有与所述第一硅化物区域和第二硅化物区域分别对应的第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口用以引出测量电阻率用的两个电极。

2.如权利要求1所述的集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构，其特征在于，所述钝化层包括第二氧化层以及形成于所述第二氧化层上的氮化硅层。

3.一种如权利要求1所述的集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，提供一衬底以及用于形成所述钝化层中的所述第一开口和第二开口的光罩，利用所述光罩在所述衬底表面形成所述第一硅化物区域和第二硅化物区域；

步骤2，通过沉积工艺在所述衬底上形成所述第一氧化层，并在所述第一氧化层中刻蚀出第一开孔和第二开孔以露出所述第一硅化物区域和第二硅化物区域；

步骤3，在所述第一氧化层上沉积一层金属以形成顶层金属，同时，所述第一开孔和第二开孔被金属填充而形成所述第一通孔和第二通孔；

步骤4，刻蚀所述顶层金属以形成所述第一顶层金属区域和第二顶层金属区域，并在所述第一顶层金属区域和第二顶层金属区域的表面沉积所述钝化层；

步骤5，再次利用所述光罩在所述钝化层中形成所述第一开口和第二开口。