[发明专利]SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010164875.7 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101819994A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sige 异质结双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种SiGe异质结双极型晶体管，包括：
衬底；
在衬底上生长的集电区；
形成在集电区内的浅沟槽隔离；
在集电区上外延生长的SiGe层；
形成在SiGe层上的基极；
形成在SiGe层上的发射区；
形成在发射区上的发射极；
以及形成在集电区上的集电极；其中，所述集电区进一步包括在衬底上形成的抗穿通层和在所述抗穿通层上形成的n型埋层。
2.根据权利要求1所述的SiGe异质结双极型晶体管，其特征在于，所述抗穿通层是p型袋域布植的抗穿通层。
3.根据权利要求1所述的SiGe异质结双极型晶体管，其特征在于，所述浅隔离沟槽采用绝缘物介质填充。
4.根据权利要求1所述的SiGe异质结双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘物介质为二氧化硅、氮化硅和多晶硅。
5.根据权利要求1所述的SiGe异质结双极型晶体管，其特征在于，形成在衬底上的抗穿通层是采用离子布植的方式。
6.根据权利要求5所述的SiGe异质结双极型晶体管，其特征在于，所述的离子布植的方式为倾斜角度的离子布植方式。
7.根据权利要求5所述的SiGe异质结双极型晶体管，其特征在于，所述的离子布植的方式为角度旋转的离子布植方式。
8.一种制备如权利要求1所述的SiGe异质结双极型晶体管的制备方法，包括：
提供衬底；
浅沟槽隔离的制备；
抗穿通层的制备；
n型埋层的制备；
SiGe层的外延生长；
集电极、基极、发射极的制备。
9.根据权利要求8所述的SiGe异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述SiGe异质结双极型晶体管的制备方法进一步包括在集电极下方的区域进行n型重掺杂离子注入。
10.根据权利要求8所述的SiGe异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，衬底为p型衬底。
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