[发明专利]芯片引线键合区及应用其的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，且特别涉及一种芯片引线键合区及应用其的半导体器件。

背景技术

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金、锡、铜、铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead)，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检(Incoming)、测试(Test)和包装(Packing)等工序，最后入库出货。

目前，集成电路先进后封装过程关键技术中，封装引脚的90％以上采用引线键合技术。封装行业多年的事实和权威预测表明，到2020年，引线键合技术仍将是半导体封装尤其是低端封装内部连接的主流方式。所谓的引线键合技术，是指以非常细小的金属引线的两端分别与芯片和引脚键合，形成电气连接的技术。对于一般半导体封装的性能和成本要求，引线键合是最优的选择。

键合工艺根据焊接原理(热或者超声能量)，分为三种：热压焊、超声焊和热超声焊。热超声焊在工作温度上和键合效果上适合于目前主流的金线焊接。

引线键合主要有两种工艺过程：楔形键合和球形键合。这两种引线键合技术基本的步骤分为：形成第一焊点(通常在芯片表面)，拉成线弧，形成第二焊点(通常在引线框架/基板上)。

然而，在现有技术中，由于引线键合的工艺都是芯片上的一个键合区对应与一条引线键合，也就是说一个信号对应一个键合区，一个键合区对应一条引线，因而随着芯片集成度越来越高，功能越来越多的情况下，当芯片每增加一个功能信号输出或输入时，在芯片上就要多设置一个键合区，以配合一条引线键合，随着芯片功能的增强和集成度的提高，需要更多的芯片的面积以设置更多的键合区，进而导致芯片上的体积增加、成本上升，引线键合工序繁杂等问题。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中，随着芯片功能的增强和集成度的提高，需要更多的芯片的面积以设置更多的键合区，进而导致芯片上的体积增加、成本上升，引线键合工序繁杂等技术问题。

有鉴于此，本发明提供一种芯片引线键合区，其特征在于，包括：多个区；其中，所述多个区之间相互齿合。

进一步的，所述多个区之间具有绝缘隔离结构。

进一步的，所述多个区为两个。

进一步的，所述键合区的材料为铝。

本发明实施例还提供一种半导体器件，其特征在于，包括：芯片；多个键合区，设置于所述芯片上；引线框架；所述每一个键合区包括多个区；所述多个区通过同一条引线与所述引线框架键合。

进一步的，所述多个区相互齿合。

进一步的，所述多个区为两个。

进一步的，所述多个区之间具有绝缘隔离结构。

进一步的，所述键合区的材料为铝。

本发明提供的芯片引线键合区及应用其的半导体器件，是将一个键合区分为多个部分分别与芯片内的多个电极点进行连接，并通过同一条引线与引线框架键合，可以利用一个键合区实现多路信号传输，更加充分的利用率键合区，达到了节省键合区并能实现更多功能的目的。

附图说明

图1所示为现有技术中芯片引线键合区的结构示意图；

图2所示为本发明一实施例提供的芯片引线键合区的结构示意图；

图3A所示为本发明另一实施例提供的应用上述芯片引线键合区的半导体芯片结构示意图；

图3B所示为本发明另一实施例提供的半导体芯片的引线键合区局部放大示意图；

图4所示为本发明一实施例提供的芯片引线键合区压点焊接球的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的技术特征更明显易懂，下面结合附图，给出具体实施例，对本发明做进一步的描述。

请参见图2，其所示为本发明一实施例提供的芯片引线键合区的结构示意图。