[发明专利]低密度奇偶校验(LDPC)码的译码装置及方法有效
申请号: | 201010165037.1 | 申请日: | 2010-04-12 |
公开(公告)号: | CN101931497A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 金范珍;朴赞奎 | 申请(专利权)人: | 芯光飞株式会社 |
主分类号: | H04L1/00 | 分类号: | H04L1/00;H03M13/11 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽;唐秀萍 |
地址: | 韩国京畿道城南市盆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 密度 奇偶校验 ldpc 译码 装置 方法 | ||
1.一种对由低密度奇偶校验(LDPC)编码装置进行编码的低密度奇偶校验(Low Density Parity Check,LDPC)码输出进行译码的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码装置,其特征在于,所述的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码装置包括:对所述低密度奇偶校验(LDPC)编码装置所传送的被交织器的低密度奇偶校验(LDPC)码字执行解交织之解交织器(Deinterleaver),以及输入由所述解交织器输出的数据,并执行低密度奇偶校验(LDPC)译码的低密度奇偶校验(LDPC)译码器。
2.如权利要求1所述的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码装置,其特征在于:采用了大小为M×K(列数M,行数K)的解交织器的译码装置中,当M>K的情况下,使用M×M,而相反情况下,使用K×K的正方形存储器于所述解交织器。
3.一种利用低密度奇偶校验(LDPC)译码装置的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码方法,其特征在于:将所述低密度奇偶校验(LDPC)码以组为单位而进行迭代译码(Iterative Decoding),从而控制所述低密度奇偶校验(LDPC)码的组单位的最大迭代(Iteration)次数。
4.如权利要求3所述的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码方法,其特征在于:对大小为L的所述低密度奇偶校验(LDPC)码组内的第i个码块进行译码时所被允许的最大区块迭代次数可以通过下述公式1而决定,其中n(i)表示第i个LCPC码块所被允许的最大迭代次数,NG表示低密度奇偶校验(LDPC)码组的最大组迭代次数,i=0,1,...,L-1表示低密度奇偶校验(LDPC)码组内的个别LCPC码块的序号,ng(i)表示开始对第i个低密度奇偶校验(LDPC)码块进行译码时的累积组迭代次数,NB,min表示每个个别低密度奇偶校验(LDPC)码块必须确保的最低限度的最大区块迭代次数,NB,max表示NB,min值的最大值,n(i)=min{NG-ng(i)-NB,min*(L-i),NB,max}...【公式1】。
5.如权利要求4所述的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码方法,其特征在于:当所述公式1满足下述公式2的条件时,大小为L的低密度奇偶校验(LDPC)码组内对第i个码块进行译码时所被允许的最大区块迭代次数可以通过下述公式3而被决定,其中NG表示低密度奇偶校验(LDPC)码组的最大组迭代次数,L表示低密度奇偶校验(LDPC)码组内的低密度奇偶校验(LDPC)码块的数量,NB,min表示每个个别低密度奇偶校验(LDPC)码块必须确保的最低限度的最大区块迭代次数,NG=L*NB,min...【公式2】,其中n(i)表示第i个LCPC码块所被允许的最大迭代次数,i=0,1,...L-1表示低密度奇偶校验(LDPC)码组内的个别低密度奇偶校验(LDPC)码块的序号,ng(i)表示开始对低密度奇偶校验(LDPC)码块进行译码时的累积组迭代次数,NB,min表示每个个别低密度奇偶校验(LDPC)码块必须确保的最低限度的最大区块迭代次数,NB,max表示NB,min值的最大值,n(i)=min{i*NB,min-ng(i),NB,max}...【公式3】。
6.如权利要求2所述的低密度奇偶校验(LDPC)码的译码方法,其特征在于:对所述解交织器的存储器的读取和写入的执行如规则1所述,所述规则1是:将M>K的情况作为例,对区块解交织器的工作进行说明如下,首先,将每M个区块解交织器的输入数据以解交织器存储器的列(Row)的方向写入,并重复K次。当结束一个区块的解交织器存储器的写入后,向行(Column)的方向以K个为单位进行读取。这时,与读取并行,将下一个解交织器的输入数据向行的方向以M个为单位进行写入。这时,执行写入的位置不能超越读取的位置。因此,当对一个区块的解交织器存储器的读取和写入结束后,再向列的方向以相同方式进行读取和写入。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯光飞株式会社,未经芯光飞株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010165037.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掺钕钨酸锂钡镱激光晶体及其制备方法和用途
- 下一篇:用于制造熔断器的方法