[发明专利]一种高密度超尖硅探针阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010165067.2 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101819219A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王少伟;陆卫;陈效双;俞立明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01Q60/38 | 分类号： | G01Q60/38 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 超尖硅 探针 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高密度、超尖硅探针阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
A.将倍半氧硅氢化物旋涂在硅片上，转速≥3000rpm，其厚度不大于探针阵列周期；
B.在100～200℃的热板或烘箱中热处理1～30分钟，使倍半氧硅氢化物中大部分有机溶剂挥发；
C.通过电子束光刻进行曝光后，置于30～80℃的三甲胺系列显影液中显影约1分钟，形成单元尺寸≥10nm、周期≥20nm的HSQ点阵列；
D.采用反应离子刻蚀方法，通过SF6、O2和Ar混合气体进行刻蚀，其流量范围分别为1～30sccm、0～50sccm和0～30sccm，功率范围为100～250W，压强范围为：10～100mT，刻蚀的时间由周期和掩膜点阵单元的尺寸决定，为1～30min；
E.用HF腐蚀掉剩余的倍半氧硅氢化物掩膜，形成高密度、超尖硅探针阵列。
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