[发明专利]一种低缺陷高亮度的衬底结构体,制备方法及其用途

权利要求书

1.一种低缺陷高亮度的衬底结构体，包括有用于生长光电器件目标薄膜的基础衬底，其特征在于：覆在基础衬底上且是在基础衬底与目标薄膜的外延层间有一过渡层薄膜，该过渡层至少含有一层二维或三维形状的过渡薄膜。

2.根据权利要求1所述的低缺陷高亮度的衬底结构体，其特征在于：所述的过渡层薄膜为若干二维和三维形状的过渡薄膜交替叠加而成。

3.根据权利要求1所述的低缺陷高亮度的衬底结构体，其特征在于：所述的二维或三维形状的过渡薄膜为用掩膜版法、选择生长法、溶胶-凝胶法或自主装方法形成的薄膜。

4.根据权利要求1、2或3所述的低缺陷高亮度的衬底结构体，其特征在于：所述的过渡薄膜为ZnO、WO₃、MoO₃、SiC或ZnS导电薄膜。

5.根据权利要求1、2或3所述的低缺陷高亮度的衬底结构体，其特征在于：所述的过渡薄膜为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化镁不导电薄膜。

6.如权利要求1所述的低缺陷高亮度的衬底结构体，其特征在于：所述二维或三维周期排列的过渡层，其特征尺寸为5-10μm，间隔周期间距为10-20μm。

7.一种如权利要求1所述的衬底结构体的制备方法，包括在基础衬底上生长光电器件的目标薄膜；其特征在于：在目标薄膜生长前先在基础衬底上生长一过渡层薄膜；所述生长过渡层薄膜的方法步骤如下：

a)在选择的衬底上形成一新过渡层薄膜的原始实体层；

b)选择掩膜版法或选择生长法、溶胶-凝胶法、自主装方法中的一种方法在原始实体层上进一步制成二维或三维形状的过渡薄膜；

c)满足过渡薄膜层的需要，则直接进入下一步骤；不满足过渡薄膜层的需要，回到步骤a)；

d)继续制作光电器件，在过渡层薄膜上生长目标薄膜。

8.根据权利要求7所述的衬底结构体的制备方法，其特征在于：更可以在生长过渡层薄膜之前对基础衬底表面进行清洗处理。

9.一种如权利要求1所述的衬底结构体的用途，其特征在于：该衬底结构体用于制作发光二极管芯片。

10.根据权利要求9所述的衬底结构体的用途，其特征在于：该衬底结构体用于制作肖特基二极管或带有量子阱结构的发光二极管芯片。