[发明专利]一种纳米周期结构红外辐射抑制材料及其制作方法有效
申请号: | 201010165515.9 | 申请日: | 2010-05-07 |
公开(公告)号: | CN101863152A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 凌军;张拴勤;杨辉;王引龙;连长春;卢言利;潘家亮 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军63983部队 |
主分类号: | B32B15/02 | 分类号: | B32B15/02;B32B15/08;B32B9/04;B32B27/16;C23C14/24;C23C14/06 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214035 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 周期 结构 红外 辐射 抑制 材料 及其 制作方法 | ||
1.一种纳米周期结构红外辐射抑制材料,其包括衬底和上层的薄膜材料,其特征在于:所述薄膜材料为五个周期的复合纳米锗和硫化锌薄膜相互复合而成,所述复合纳米锗和硫化锌薄膜的上层是1.1mm厚度的纳米硫化锌薄膜、下层为0.7mm厚度的纳米锗薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种纳米周期结构红外辐射抑制材料,其特征在于:所述衬底为基础布等柔性材料。
3.根据权利要求1所述的一种纳米周期结构红外辐射抑制材料,其特征在于:所述衬底为硬质材料。
4.一种纳米周期结构红外辐射抑制材料的制作方法,其特征在于:
将锗材料、衬底置于真空镀膜机内部,真空状态下采用蒸发镀膜在衬底上镀0.7mm厚度的纳米锗薄膜,之后移除锗材料换上硫化锌材料,真空状态下采用蒸发镀膜在锗薄膜上镀1.1mm厚度的纳米硫化锌薄膜,之后保持衬底位置不变,在已经镀膜的衬底的上表面在真空状态下进行蒸发镀膜,依次交替镀0.7mm厚度的纳米锗薄膜、1.1mm厚度的纳米硫化锌薄膜各四次。
5.根据权利要求4所述的一种纳米周期结构红外辐射抑制材料的制作方法,其特征在于:
其具体工艺步骤如下:
a、将锗材料和衬底置于未抽真空的真空镀膜机的真空室,把真空室的气体
排到10-4Torr(托)以下的压强,加热锗至300℃以上使其蒸发形成纳米微粒,在衬底表面均匀沉积,之后停止加热,自然冷却后,通过石英晶体监控膜厚仪来确保衬底上表面形成0.7mm厚度的纳米锗薄膜;
b、将真空室的锗材料移除换成硫化锌材料,衬底位置不动,把真空室的气体排到10-4Torr(托)以下的压强,加热硫化锌材料至300℃以上使其蒸发形成纳米微粒,在衬底表面均匀沉积,之后停止加热,自然冷却后,通过石英晶体监控膜厚仪来确保衬底上表面形成1.1mm厚度的纳米硫化锌薄膜;
c、依次交替重复a和b步骤各四次,在衬底表面形成五个周期的复合纳米锗和硫化锌薄膜。
6.根据权利要求4所述的一种纳米周期结构红外辐射抑制材料的制作方法,其特征在于:所述衬底材质需能经受的住300℃以上的高温,所述真空室中的加热温度不高于所述衬底的理化性能发生变化高温区间的最低温度。
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