[发明专利]一种纳米线压电器件的制作方法

权利要求书

1.一种纳米线压电器件的制作方法，其特征在于包括步骤：

I、利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；II、采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；III、在所述源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线，并对压电器件表面进行封装。

2.根据权利要求1所述的一种纳米线压电器件的制作方法，其特征在于所述步骤I包括如下工序：

(1)、聚酰亚胺薄膜预处理——将聚酰亚胺薄膜在丙酮溶液和乙醇溶液中分别超声10分钟→用去离子水反复清洗去除附着的丙酮和乙醇→将洁净的聚酰亚胺薄膜浸泡于0.1％w/v的多聚赖氨酸溶液中至少10分钟→将浸泡后的聚酰亚胺薄膜烘干备用；

(2)、制备聚酰亚胺薄膜衬底掩膜层——在聚酰亚胺薄膜衬底表面涂布一层厚度2.5μm的光刻胶，并利用紫外曝光法光刻形成纳米线排布图形；

(3)、平行排列纳米线阵列的干法直接转移——在硅片表面生长垂直型的纳米线阵列→将硅片生长有纳米线阵列的表面与步骤(2)制得的聚酰亚胺薄膜衬底表面接触，压合→将硅片沿水平方向移开→溶解去除聚酰亚胺薄膜衬底表面的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的一种纳米线压电器件的制作方法，其特征在于所述步骤II包括如下工序：将步骤I制得的具平行纳米线阵列的聚酰亚胺薄膜固定在硬质的基底上→通过掩膜板在所获得的平行纳米线阵列区域曝光、显影后溅射Ag金属层→经剥离后得到源极和漏极。

4.根据权利要求1所述的一种纳米线压电器件的制作方法，其特征在于所述步骤III包括如下工序：

(1)、利用银浆从源极和漏极一侧分别添设接点，并从接点引出用于连接外部的引线；

(2)、采用据二甲基硅氧烷进行封装，得到全封装的纳米线压电器件。