[发明专利]一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于场效应晶体管的手性传感器，所述晶体管包括基底、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于：所述场效应晶体管的有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管的手性传感器，其特征在于：所述有源层为经过手性分子修饰的单壁碳纳米管薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管的手性传感器，其特征在于：所述有源层为经过手性分子修饰的多壁碳纳米管薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管的手性传感器，其特征在于：所述有源层为经过手性分子修饰的单壁碳纳米管与经过手性分子修饰的多壁碳纳米管混合制成的薄膜。

5.一种基于场效应晶体管的手性传感器的制备方法，其特征在于包括步骤：I、在基底/栅极上生长一层10nm～100nm厚的绝缘层；II、将经过分散并经过手性分子修饰的碳纳米管溶液喷涂、打印、旋涂、或滴加在绝缘层上，排布形成场效应晶体管的导电沟道；III、在导电沟道上溅射或蒸发制备电极，并对电极刻蚀形成源、漏电极之间O.1μm～1μm的距离。

6.根据权利要求5所述的一种基于场效应晶体管的手性传感器的制备方法，其特征在于：步骤II中所述手性修饰的碳纳米管采用共价法或非共价法制备，其步骤为先将手性分子溶于酸性或碱性溶液中，再加入碳纳米管，将混合液体超声分散后用磁力搅拌，最后在手性分子与碳纳米管的分散体系中加入碱性或酸性溶液，直至手性分子沉积于碳纳米管之上。

7.一种基于场效应晶体管的手性传感器的制备方法，其特征在于包括步骤：I、在基底/栅电极上生长一层10nm～100nm厚的栅绝缘层；II、在栅绝缘层上制备电极，并对电极进行刻蚀形成源、漏电极之间O.1μm～1μm的距离；III、将经过分散并经过手性分子修饰的碳纳米管溶液滴在基底的源、漏电极之间，排布形成场效应晶体管的导电沟道。

8.根据权利要求7所述的一种基于场效应晶体管的手性传感器的制备方法，其特征在于：步骤III中所述手性修饰的碳纳米管采用共价法或非共价法制备，其步骤为先将手性分子溶于酸性或碱性溶液中，再加入碳纳米管，将混合液体超声分散后用磁力搅拌，最后在手性分子与碳纳米管的分散体系中加入碱性或酸性溶液，直至手性分子沉积于碳纳米管之上。