[发明专利]激光加工方法、激光加工装置以及加工产品

说明书

本申请是申请日为2004年7月16日、申请号为200480020786.8、发明名称为激光加工方法、激光加工装置以及加工产品的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及激光加工方法、激光加工装置以及加工产品。

背景技术

作为通过激光加工来切断加工对象物的方法，在下述非专利文献1中有所揭示。在该非专利文献1中揭示的激光加工方法是一种切断硅芯片的方法，其是使用透过硅质的波长为1μm左右的激光，在芯片内部集光并形成连续的改质层，通过这样来进行切断的方法。

非专利文献1：荒井一尚“半导体芯片的激光切片加工”，砥粒加工学会志、Vol.47、No.5、2003MAY.P229-231。

发明内容

(发明要解决的问题)

当以上述激光加工方法对已加工的硅芯片进行切断的情况下，必须沿着弯曲芯片的方向施加作用力，使内部龟裂来进行切断。因此，采用使粘贴在硅芯片背面上的胶带(tape)与硅芯片一起分离切断的方法(扩张法)，其良品率较差。

在此，本发明的目的在于提供一种能够易于切断加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置、和易于切断的加工产品。

(解决问题的手段)

本发明的激光加工方法，包括：使集光点对准加工对象物内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线在加工对象物的内部通过多光子吸收而形成被处理部，同时，在加工对象物内部、在对应于被处理部的规定位置上形成微小空洞的工序。

在本发明的激光加工方法中，由于对应于被处理部形成有微小空洞，所以可以在加工对象物内部形成一对被处理部与微小空洞。

此外，本发明的激光加工方法，优选还包括设定切断预定线的工序。由于其包括切断预定线的设定工序，所以可以沿着该设定的切断预定线形成被处理部与微小空洞。

本发明的激光加工方法，包括：设定加工对象物的切断预定线的工序；以及使集光点对准加工对象物内部来照射激光，沿着切断预定线在加工对象物的内部通过多光子吸收而形成被处理部，同时，在加工对象物内部、在对应于所述被处理部的规定位置上形成微小空洞的工序。

在本发明的激光加工方法中，由于对应于被处理部形成有微小空洞，所以可以在加工对象物内部形成一对被处理部与微小空洞。

此外，本发明的激光加工方法，优选加工对象物为半导体基板、被处理部为熔融处理区域。由于在半导体基板照射激光，所以可以形成熔融处理区域与微小空洞。

此外，本发明的激光加工方法，优选加工对象物为半导体基板、激光为脉冲激光、该脉冲宽度在500nsec以下。由于以脉冲宽度为500nsec以下的脉冲激光照射半导体基板，所以可以更可靠地形成微小空洞。

此外，本发明的激光加工方法，优选加工对象物为半导体基板、激光为脉冲激光、该脉冲节距为1.00～7.00μm。由于以脉冲节距为1.00～7.00μm的脉冲激光照射半导体基板，所以可以更可靠地形成微小空洞。

此外，本发明的激光加工方法，优选微小空洞沿着切断预定线而形成多个，各个微小空洞相互之间具有间隔。由于微小空洞以相互之间具有间隔而形成，所以可以更有效地形成微小空洞。

此外，本发明的激光加工方法，优选在加工对象物的主面上形成有功能元件，微小空洞在主面与被处理部之间形成。由于在形成功能元件的主面侧形成有微小空洞，所以可以提高功能元件侧的割断精度。

此外，本发明的激光加工方法，优选微小空洞是将被处理部包夹、且在激光入射侧的相反侧而形成。

此外，本发明的激光加工方法，优选还包括切断形成有微小空洞的加工对象物的工序。

本发明的激光加工方法，包括：设定半导体基板的切断预定线的工序；以及使集光点对准半导体基板的内部来照射激光，沿着切断预定线在半导体基板的内部形成熔融处理区域，同时，在半导体基板内部、在对应于所述熔融处理区域的规定位置上形成微小空洞的工序。

在本发明的激光加工方法中，由于对应于熔融处理区域形成有微小空洞，所以可以在加工对象物内部形成一对熔融处理区域与微小空洞。

本发明的激光加工方法，包括：设定半导体基板的切断预定线的工序；以及使集光点对准半导体基板的内部来照射脉冲激光，沿着切断预定线在半导体基板的内部形成熔融处理区域，同时，在半导体基板内部、在对应于熔融处理区域的规定位置上形成微小空洞的工序，其中，脉冲激光的脉冲宽度在500nsec以下。