[发明专利]一种拼接式大面积场发射平面光源

权利要求书

1.一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：其包括若干个无真空隔离支柱场发射光源单元，所述若干个无真空隔离支柱场发射光源单元相互独立设于一平面上并排列组合成为大面积场致发射背光源；所述场发射光源单元包括阴极板、与阴极板相对应的阳极板、用于封装阴极和阳极的边封体、吸气剂和排气管；所述与阴极板相对应的阳极板设于所述阴极板的上方，所述边封体设于所述阴极板和与阴极板相对应的阳极板之间的周侧，所述边封体、所述阴极板和与阴极板相对应的阳极板共同构成密封腔；所述吸气剂设于所述密封腔内，所述排气管设于所述场发射光源单元的密封腔周部。

2.根据权利要求1所述一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：所述阴极板包括阴极基板、设于阴极基板上的导电层和设于阴极导电层上的电子发射层。

3.根据权利要求2所述一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：所述设于阴极基板上的导电层是导电薄膜，所述导电薄膜是含有Cr、Cu、Ag、Fe、Al、Ni、Au、Pt、Ti中的一种金属元素的单层薄膜，或者是含有Cr、Cu、Ag、Fe、Al、Ni、Au、Pt、Ti中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是含有具有导电性的Sn的氧化物、Zn的氧化物、In的氧化物中的其中一种氧化物的半导体薄膜，或者是含有具有导电性的Sn的氧化物、Zn的氧化物、In的氧化物中的多种氧化物组成的半导体薄膜。

4.根据权利要求2所述一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：所述电子发射层的材料为零维纳米材料或者一维纳米材料或者二维纳米材料。

5.根据权利要求1所述一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：所述与阴极板相对应的阳极板包括阳极基板、设于阳极基板上的导电层、设于阳极导电层上的荧光粉层和设置荧光粉层上的铝膜。

6.根据权利要求5所述一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：所述设于阳极基板上的导电层是导电薄膜，所述导电薄膜是含有Cr、Cu、Ag、Fe、Al、Ni、Au、Pt、Ti中的一种金属元素的单层薄膜，或者是含有Cr、Cu、Ag、Fe、Al、Ni、Au、Pt、Ti中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是含有具有导电性的Sn的氧化物、Zn的氧化物、In的氧化物中的其中一种氧化物的半导体薄膜，或者是含有具有导电性的Sn的氧化物、Zn的氧化物、In的氧化物中的多种氧化物组成的半导体薄膜。

7.根据权利要求1所述一种拼接式大面积场发射平面光源，其特征在于：所述吸气剂是集中蒸散式吸气剂或集中非蒸散式吸气剂。