[发明专利]激光加工方法、激光加工装置以及加工产品

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于，包括：

使集光点对准加工对象物内部来照射激光，沿着所述加工对象物的切断预定线在所述加工对象物的内部通过多光子吸收而形成被处理部，同时，在所述加工对象物内部、在对应于所述被处理部的规定位置上形成微小空洞的工序。

2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

还包括设定所述切断预定线的工序。

3.一种激光加工方法，其特征在于，包括：

设定加工对象物的切断预定线的工序；以及

使集光点对准加工对象物内部来照射激光，沿着所述切断预定线在所述加工对象物的内部通过多光子吸收而形成被处理部，同时，在所述加工对象物内部、在对应于所述被处理部的规定位置上形成微小空洞的工序。

4.如权利要求1至3中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体基板，所述被处理部为熔融处理区域。

5.如权利要求1至3中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体基板，所述激光为脉冲激光，其脉冲宽度为500nsec以下。

6.如权利要求1至3中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工对象物为半导体基板，所述激光为脉冲激光，其脉冲节距为1.00～7.00μm。

7.如权利要求1至6中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞沿着所述切断预定线而形成多个，各个微小空洞相互之间具有间隔。

8.如权利要求1至7中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞沿着所述切断预定线而形成多个，各个微小空洞相互之间具有间隔。

9.如权利要求1至8中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

在所述加工对象物的主面上形成有功能元件，所述微小空洞在所述主面与所述被处理部之间形成。

10.如权利要求1至9中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞是将所述被处理部包夹、且在所述激光入射侧的相反侧而形成。

11.如权利要求1至10中任一项的激光加工方法，其特征在于：

还包括切断形成有所述微小空洞的加工对象物的工序。

12.一种激光加工方法，其特征在于，包括：

设定半导体基板的切断预定线的工序；以及

使集光点对准半导体基板的内部来照射激光，沿着所述切断预定线在所述半导体基板的内部形成熔融处理区域，同时，在所述半导体基板内部、在对应于所述熔融处理区域的规定位置上形成微小空洞的工序。

13.一种激光加工方法，其特征在于，包括：

设定半导体基板的切断预定线的工序；以及

使集光点对准半导体基板的内部来照射脉冲激光，沿着所述切断预定线在所述半导体基板的内部形成熔融处理区域，同时，在所述半导体基板内部、在对应于所述熔融处理区域的规定位置上形成微小空洞的工序，其中，

所述脉冲激光的脉冲宽度在500nsec以下。

14.一种激光加工方法，其特征在于，包括：

设定半导体基板的切断预定线的工序；以及

使集光点对准半导体基板的内部来照射脉冲激光，沿着所述切断预定线在所述半导体基板的内部形成熔融处理区域，同时，在所述半导体基板内部、在对应于所述熔融处理区域的规定位置上形成微小空洞的工序，其中，

所述脉冲激光的脉冲节距是为1.00～7.00μm。

15.如权利要求12至14中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞沿着所述切断预定线而形成多个，各个微小空洞相互之间具有间隔。

16.如权利要求12至15中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述半导体基板的主面形成有功能元件，所述微小空洞在所述主面与所述熔融处理区域之间形成。

17.如权利要求12至16中任一项所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞是将所述熔融处理区域包夹、且在所述激光入射侧的相反侧而形成。