[发明专利]一种用于真空处理系统的流体传输装置有效
申请号: | 201010166384.6 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN101866826A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 倪图强;陈妙娟;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 真空 处理 系统 流体 传输 装置 | ||
1.一种用于真空处理系统中的流体传输装置,所述真空处理系统包括一个工艺片支撑台,所述工艺片支撑台中设置了一个或多个冷却通路,其中,所述流体传输装置包括:
一个或多个套管,其连接于工艺片支撑台和冷却装置之间,其中,所述套管具有第一端和相对的第二端,在所述第一端和所述第二端之间设置有一个或多个用于通入和导出流体的通道,每个所述通道与所述工艺片支撑台中的冷却通路和设置于工艺片支撑台下方的冷却装置相通。
2.根据权利要求1所述的流体传输装置,其特征在于:
所述冷却通路包括设置于工艺片支撑台中央区域的第一冷却通路和设置于工艺片支撑台边缘区域的第二冷却通路,所述套管包括第一通道、第二通道、第三通道和第四通道,
其中,所述第一冷却通路分别对应并连通于所述第一通道和所述第二通道,所述第二冷却通路分别对应并连通于所述第三通道和所述第四通道,
其中,所述第一通道用于将流体通入第一冷却通路,所述第二通道用于将流体导出第一冷却通路,所述第三通道用于将流体通入第二冷却通路,所述第四通道用于将流体导出第二冷却通路。
3.根据权利要求1或2所述的流体传输装置,其特征在于,所述流体传输装置包括一个或多个连接管,其连接所述冷却通路和所述通道,
其中每个所述连接管包括一个第一接口和一个第二接口,所述第一接口与所述冷却通路相通,所述第二接口与所述通道相通。
4.根据权利要求1或2所述的流体传输装置,其特征在于,所述一个或多个套管是由硬性的不易形变的材料制成。
5.根据权利要求4所述的流体传输装置,其特征在于,所述一个或多个套管是由射频绝缘材料制成的。
6.根据权利要求5所述的流体传输装置,其特征在于,所述一个或多个套管是由聚醚酰亚胺材料制成的。
7.根据权利要求1所述的流体传输装置,其特征在于,所述连接管包括:
一个第一竖管,所述第一连接管设置于所述第一竖管上方;
一个第二竖管,所述第二连接管设置于所述第二竖管下方;
一个横管,所述横管分别连接于所述第一竖管和所述第二竖管。
8.一种用于真空处理系统的工艺片温度控制装置,其中,所述工艺片温度控制装置包括权利要求1~7所述的流体传输装置,其用于传递冷却剂以控制工艺片的温度。
9.一种真空处理系统,其特征在于,包括如权利要求1~7所述的流体传输装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造