[发明专利]半导体装置的制造方法以及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜；

第二工序，向所述衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在所述衬底处理室内的所述原料气体；

第三工序，向所述衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过所述第一工序在所述衬底上形成的包含规定元素的膜改质；

第四工序，向所述衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在所述衬底处理室内的所述改质气体；以及

惰性气体填充工序，向与所述衬底处理室连接的气体储存部填充惰性气体，

在所述第二工序以及所述第四工序之前进行所述惰性气体填充工序，

在所述第二工序以及所述第四工序中，将通过所述惰性气体填充工序被填充到所述气体储存部中的惰性气体向所述衬底处理室内供给。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第三工序，所述规定元素是第一元素，将包含第二元素的改质气体向所述衬底处理室内供给，而将通过所述第一工序在所述衬底上形成的包含第一元素的膜改质成包含所述第一元素和第二元素的膜；以及

第四工序，向所述衬底处理室内瞬时地供给惰性气体来除去残留在所述衬底处理室内的所述改质气体。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述原料气体在常温常压下为液体，

在所述第一工序中，边对所述衬底处理室内的环境气体进行排气，边将所述原料气体向所述衬底处理室内供给，

在所述第三工序中，边对所述衬底处理室内的环境气体进行排气，边将所述改质气体向所述衬底处理室内供给。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述惰性气体填充工序中，能够向所述气体储存部填充惰性气体直到所述气体储存部的压力成为规定的压力。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

包括对所述衬底处理室内的环境气体进行排气的排气工序，

以所述第一工序、所述第二工序、所述排气工序、所述第三工序、所述第四工序、所述排气工序的顺序进行处理。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包括将惰性气体填充到与所述衬底处理室连接的惰性气体供给管中的惰性气体填充工序，

在所述第二工序以及所述第四工序之前进行所述惰性气体填充工序，

在所述第二工序以及所述第四工序中，将通过所述惰性气体填充工序被填充到所述惰性气体供给管中的惰性气体向所述衬底处理室内供给。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在所述衬底上形成包含所述规定元素的膜；

第二工序，向所述衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在所述衬底处理室内的所述原料气体；

第三工序，向所述衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过所述第一工序在所述衬底上形成的包含规定元素的膜改质；

第四工序，向所述衬底处理室内供给惰性气体来除去所述衬底处理室内残留的所述改质气体；以及

惰性气体填充工序，将惰性气体向与所述衬底处理室连接的惰性气体供给管填充，

在所述第二工序以及所述第四工序之前进行所述惰性气体填充工序，

在所述第二工序以及所述第四工序中，将通过所述惰性气体填充工序被填充到所述惰性气体供给管中的惰性气体向所述衬底处理室内供给。