[发明专利]形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法

权利要求书

1.一种形成构图的结构的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成从底部到顶部为第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的叠层；

通过使第一曝光波长照射通过具有第一图形的第一掩模来光刻曝光所述第一光致抗蚀剂层，其中所述第一光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分变为对第二曝光波长光学透明；以及

通过使所述第二曝光波长照射通过具有第二图形的第二掩模来光刻曝光所述第二光致抗蚀剂层，其中在所述第二光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分中形成合成图形，其中所述第二合成图形与仅仅限制在所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分的区域内的所述第二图形相同。

2.根据权利要求1的方法，其中所述第一光致抗蚀剂层的至少一个未光刻曝光的第一抗蚀剂部分在所述第一曝光波长的所述照射之后保持对所述第二曝光波长光学不透明。

3.根据权利要求1的方法，其中在通过所述第二曝光波长的照射来光刻曝光所述第二光致抗蚀剂层期间，所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分保留在所述第二光致抗蚀剂层上。

4.根据权利要求1的方法，其中所述至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分仅仅形成在所述至少一个光刻曝光的第一抗蚀剂部分之下，而不形成在至少一个未光刻曝光的第一抗蚀剂部分之下。

5.根据权利要求4的方法，其中在通过所述第二曝光波长的照射来光刻曝光所述第二光致抗蚀剂层期间，所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分和所述至少一个未光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分保留在所述第二光致抗蚀剂层上。

6.根据权利要求4的方法，还包括：

从所述第二光致抗蚀剂层之上去除所有的所述第一光致抗蚀剂层；

相对于所述第二光致抗蚀剂层的至少一个未光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分选择性地去除所述至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分；以及

采用所述至少一个未光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分作为蚀刻掩模，将所述合成图形转移到下伏的层中。

7.根据权利要求4的方法，还包括：

相对于所述至少一个未光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分选择性地去除所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分；

相对于所述第二光致抗蚀剂层的所述至少一个未光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分选择性地去除所述至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分；以及

采用所述至少一个未光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分和所述至少一个未光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分作为蚀刻掩模，将所述合成图形转移到下伏的层中。

8.根据权利要求1的方法，其中所述第二图形包括过孔形状的阵列。

9.根据权利要求1的方法，其中所述第二图形包括线路形状的阵列。

10.根据权利要求1的方法，其中所述第二曝光波长与所述第一曝光波长相同。

11.根据权利要求1的方法，其中所述第一光致抗蚀剂层包括灰抗蚀剂。

12.根据权利要求11的方法，其中所述灰抗蚀剂包括具有吸收部分的抗蚀剂聚合物。

13.根据权利要求12的方法，其中所述灰抗蚀剂的所述抗蚀剂聚合物的所述吸收部分包括吸收所述第一曝光波长的辐射的至少一种化学部分。

14.一种构图的结构，包括位于衬底上的从底部到顶部的第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的叠层，其中所述第一光致抗蚀剂层包括互补地填充整个所述第一光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分和至少一个未光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分，其中所述第二光致抗蚀剂层包括互补地填充整个所述第二光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分和至少一个未光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分，其中所述至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分仅仅存在于所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分之下而不存在于所述至少一个未光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分之下。

15.根据权利要求14的构图的结构，其中所述第一光致抗蚀剂层包括灰抗蚀剂。

16.根据权利要求15的构图的结构，其中所述灰抗蚀剂包括具有吸收部分的抗蚀剂聚合物。

17.根据权利要求16的构图的结构，其中所述灰抗蚀剂的所述抗蚀剂聚合物的所述吸收部分包括吸收所述第一曝光波长的辐射的至少一种化学部分。