[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201010166708.6 | 申请日: | 2005-09-09 |
公开(公告)号: | CN101841002A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 熊木大介;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本分案申请是基于申请号为200580032194.2(国际申请号为PCT/JP2005/017076),申请日为2005年9月9日,发明名称为“发光器件”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种当电流流过其中时发光的发光元件,其中在电极之间夹有包括发光物质的薄膜,并且涉及一种使用该发光元件的显示器件。本发明尤其涉及一种使用该发光元件的电子设备。
背景技术
已经积极地进行了对使用薄膜发光元件的显示器件的开发,该薄膜发光元件当电流流过其中时发光。
当电流流过薄膜发光元件(其中使用有机材料和无机材料之一或二者形成的单层或多层薄膜连接到电极)时,薄膜发光元件发光。这种薄膜发光元件具有低功耗、小型化、可视性好等优点,因此预期薄膜发光元件的市场将扩展。
通过形成具有多层结构、每层具有不同特性的发光元件,该发光元件与传统发光元件相比可以更高效地发光(例如,见非专利文件1:C.W.Tang et al.,Applied Physics Letters,vol.51,No.12,pp.913-915(1987))。
在具有多层结构的薄膜发光元件中,包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等的发光层叠体夹在一对电极之间。通过对一个电极施加高于另一电极的电压,发光层可以发光。此外,根据元件结构,可以不提供空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
为了形成具有上述结构的发光层叠体,选择具有适合各个层的特性的材料。此外,有必要选择具有适合其间夹着发光层叠体的各个电极特性的材料。
具体地说,应当使用具有大的逸出功(大约4.0eV或更大)的材料形成施加有比另一电极更高电压的电极,而应当使用具有小的逸出功(大约3.8eV或更小)的材料形成另一电极。
然而,由于必须考虑膜特性、制造方法、透光特性、导电特性等来选择这些电极的材料,因此现在电极材料的选择范围变得窄了。
发明内容
考虑到上述问题,本发明的目的是提供一种在完全不需考虑电极的逸出功的情况下形成的发光元件或发光器件。具体说来,本发明的目的是提供一种发光元件或发光器件,其中可以放宽电极材料的选择范围。
在本发明的一个方面中,一种发光器件包括彼此相对的第一和第二电极之间的第一层、第二层和第三层。第一层是具有施主能级的层。第二层是包含发光物质的层或至少包括包含发光物质的层的层叠体。第三层是具有受主能级的层。第一、第二和第三层被依次层叠。第二电极与第一层接触地形成,并且第一电极与第三层接触地形成,使得当第二电极的电位被设置得高于第一电极的电位时,第二层中生成的空穴被注入第三层中。
在本发明的另一方面中,一种发光器件包括彼此相对的第一和第二电极之间的第一、第二、第三和第四层。第一和第四层是具有施主能级的层。第二层是包含发光物质的层或至少包括包含发光物质的层的层叠体。第三层是具有受主能级的层。第一、第二、第三和第四层被依次层叠。第二电极与第一层接触地形成,并且第一电极与第四层接触地形成,使得当第二电极的电位被设置得高于第一电极的电位时,第二层中生成的空穴和第四层中生成的电子被注入第三层中。
在本发明的另一方面中,一种发光器件包括彼此相对的第一和第二电极之间的第一、第二、第三、第四和第五层。第一和第四层是具有施主能级的层。第二层是包含发光物质的层或至少包括包含发光物质的层的层叠体。第三和第五层是具有受主能级的层。第一、第二、第三、第四和第五层被依次层叠。第二电极与第一层接触地形成,并且第一电极与第五层接触地形成,使得当第二电极的电位被设置得高于第一电极的电位时,第二层中生成的空穴和第四层中生成的电子被注入第三层中。
在本发明的另一方面中,一种发光器件包括彼此相对的第一和第二电极之间的第一、第二和第三层。第一层包含第一物质和第二物质,第一物质的电子迁移率高于空穴迁移率,第二物质可以向第一物质贡献电子。第二层包含第三物质和第四物质,第三物质的空穴迁移率高于电子迁移率,第四物质可以接受来自第三物质的电子。第三层是包含发光物质的层或至少包括包含发光物质的层的层叠体。第一、第二和第三层被依次层叠。第二电极与第一层接触地形成,并且第一电极与第三层接触地形成,使得当第二电极的电位被设置得高于第一电极的电位时,第二层中生成的空穴被注入第三层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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