[发明专利]硅单晶的生长装置有效
| 申请号： | 201010166761.6 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101831695A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其特征在于，包括：
室；
坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；
加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/5处至2/3处所对应的部分，发热量比周边增加；
拉拔机构，从所述硅熔体中拉拔生长的硅单晶。
2.如权利要求1所述的硅单晶的生长装置，其特征在于，还包括：设置在所述坩埚侧面，对所述硅熔体施加磁场的磁铁。
3.如权利要求2所述的硅单晶的生长装置，其特征在于，所述磁铁施加的磁场，促进从与所述加热器最接近的部分向所述单晶的中心的熔体对流。
4.如权利要求1所述的硅单晶的生长装置，其特征在于，在相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体表面1/3处至1/2处所对应的部分，加热器的发热量比周边增加。
5.如权利要求1所述的硅单晶的生长装置，其特征在于，还包括：热屏蔽，设置在所述硅单晶结晶块和所述坩埚之间，包围着硅单晶结晶块，遮断由所述结晶块辐射的热量。
6.如权利要求5所述的硅单晶的生长装置，其特征在于，还包括：在所述热屏蔽中附着在与所述硅单晶结晶块最接近部分，包围着所述硅单晶结晶块的圆筒形热屏蔽部分。
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