[发明专利]硅单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201010166780.9 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101831697A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 方法 | ||
1.一种硅单晶生长方法，是通过切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，其特征在于，
在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足下述表达式的条件生长所述硅单晶：
{(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10。
2.如权利要求1所述的硅单晶生长方法，其特征在于，所述温度梯度是所述熔体的垂直方向的平均温度梯度。
3.如权利要求1所述的硅单晶生长方法，其特征在于，所述轴是贯穿所述硅单晶的中心的中心轴。
4.如权利要求1所述的硅单晶生长方法，其特征在于，在沿平行于单晶长度方向的轴测定所述硅熔体的温度时，从所述熔体和单晶的界面开始，越远离所述单晶，所述熔体的温度越来越升高，达到最高点之后越来越降低，满足保持所述熔体的升温温度梯度比所述熔体的降温温度梯度大的状态的条件，使所述硅单晶生长。
5.如权利要求4所述的硅单晶生长方法，其特征在于，在沿平行于单晶径向的轴测定所述硅熔体的温度梯度时，测定的是从所述界面到具有所述最高温度点高度的熔体。
6.如权利要求5所述的硅单晶生长方法，其特征在于，在沿平行于单晶径向的轴测定所述硅熔体的温度梯度时，测定的是位于所述单晶的下部的熔体。
7.如权利要求4所述的硅单晶生长方法，其特征在于，在沿平行于单晶长度方向的轴测定所述硅熔体的温度时，所述轴贯穿所述硅单晶的中心。
8.如权利要求4所述的硅单晶生长方法，其特征在于，所述最高点存在于，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/5处至2/3处。
9.如权利要求8所述的硅单晶生长方法，其特征在于，所述最高点存在于，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/3处至1/2处。
10.如权利要求1或4所述的硅单晶生长方法，其特征在于，把装有所述熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，用满足下述表达式的条件生长：
3≤Ln[Vs/Vc]≤5。
11.如权利要求1、4中任意一项所述的硅单晶生长方法，其特征在于，在对所述硅熔体施加磁场的状态下使所述硅单晶生长。
12.如权利要求11所述的硅单晶生长方法，其特征在于，所述磁场是相对于所述单晶的长度方向施加的垂直方向或水平方向的磁场，或者是施加的尖端(CUSP)形态的磁场。
13.如权利要求1、4中任意一项所述的硅单晶生长方法，其特征在于，
在所述硅熔体的侧面设置加热器，
在相对于所述硅熔体的整体深度、距所述熔体表面1/5处至2/3处所对应的部分，加热器的发热量比周边增加，在这种状态下，使所述硅单晶生长。
14.如权利要求11所述的硅单晶生长方法，其特征在于，
在所述硅熔体的侧面设置加热器，
在相对于所述硅熔体的整体深度、距所述熔体表面1/5处至2/3处所对应的部分，加热器的发热量比周边增加，在这种状态下，使所述硅单晶生长。
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