[发明专利]一种存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括行译码器、列译码器、存储阵列以及用于修复存储阵列中的缺陷或失效存储单元的冗余阵列，其特征在于，还包括用于存储所述存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的阻变存储器阵列以及冗余控制模块；其中，行地址信息同时输入所述行译码器和所述阻变存储器阵列的行的冗余控制模块，列地址信息同时输入所述列译码器和所述阻变存储器阵列的列的冗余控制模块；所述相关信息包括地址信息、以及所述冗余阵列的冗余行或者冗余列是否已经修复所述存储阵列中的某一行或某一列的信息。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述阻变存储器阵列包括：用于存储所述冗余阵列的冗余行所对应的存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的第一部分阻变存储器阵列，以及用于存储所述冗余阵列的冗余列所对应的存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的第二部分阻变存储器阵列。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述阻变存储器阵列的存储单元包括一个选通管和一个存储电阻，所述存储电阻与所述选通管串联连接，所述选通管用于控制字线和/或者位线上的信号是否施加于所述存储电阻。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述阻变存储器阵列包括按行和列的形式排列的存储单元、多条字线、多条位线以及多条源线；同一列的存储单元的存储电阻的第一端连接于同一条位线，同一行的存储单元的选通管的控制端连接于同一条字线，每相邻的两行存储单元共用一条源线。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述阻变存储器阵列的存储单元包括：

第一选通管，

与所述第一选通管串联连接的第一存储电阻，

第二选通管，以及

与所述第二选通管串联连接的第二存储电阻；

其中，所述阻变存储器阵列的存储单元：(1)在第一存储电阻处于第一电阻态且第二存储电阻处于第二电阻态时处于第一数据状态；(2)在第一存储电阻处于第二电阻态且第二存储电阻处于第一电阻态时处于第二数据状态。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储电阻具有存储特性的Cu_xO、WO_y、镍的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物、铪的氧化物、钼的氧化物、锌的氧化物、SrZrO₃或者PbZrTiO₃，其中，1＜x≤2、1＜y≤3。。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述阻变存储器阵列包括冗余阵列的每一冗余行或者每一冗余列所对应的存储区域，所述存储区域记录的信息包括使能位和地址信息位。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述使能位代表是否使用所述使能位所在存储区域所对应的冗余行或者冗余列来修复存储阵列中的某一行或者某一列。

9.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述地址信息位代表所述地址信息位所在存储区域所对应的冗余行或者冗余列相应修复的存储阵列中的某一行或者某一列的地址信息。

10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述冗余阵列和所述存储阵列为相同类型的存储器。