[发明专利]使用在一存储装置的存储子单元抹除方法有效
| 申请号： | 201010167652.6 | 申请日： | 2010-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102237136A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 余传英;洪俊雄;陈耕晖 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 存储 装置 单元 方法 | ||
1.一种使用在一存储器的抹除方法，其特征在于，该存储器包含多个存储子单元且被分割成多个区段的该这些存储子单元，该方法包含：
对一存储单元的存储子单元进行一抹除程序；
当执行该抹除程序时接收一暂停命令；以及
响应该暂停命令，而中断该抹除程序且执行一程序化操作于该存储单元的至少一存储子单元中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该存储单元是该多个区段之一的一部分。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该程序化操作包括一富勒-诺德汉(F-N)程序化操作。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该至少一存储子单元包括一晶体管形成于一基板之上，且其中该程序化操作包括施加一正电压至该晶体管的一栅极及施加一负电压至该基板。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该抹除程序包括施加一预程序化脉冲至该存储单元的该这些存储子单元。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该抹除程序包括施加一抹除脉冲至该存储单元的该这些存储子单元。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该抹除程序包括施加一软程序化(soft-program)脉冲至该存储单元的该些存储子单元。
8.一种非挥发存储器装置，其特征在于，包含：
一存储阵列，包含多个存储子单元且被分割成多个存储区块，每一个存储区块分割成多个存储区段的存储子单元；以及
一存储控制器，组态成：
对该存储阵列的一存储单元的存储子单元进行一抹除程序；
当执行该抹除程序时暂停该这些存储子单元的抹除，以进行一中断操作；以及
于该暂停命令之后及执行该中断操作之前，执行一程序化操作于该存储单元的至少一存储子单元中。
9.如权利要求8所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该存储单元是该多个区段之一的一部分。
10.如权利要求8所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该存储单元是一区段。
11.如权利要求8所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该程序化操作包括一富勒-诺德汉(F-N)程序化操作。
12.如权利要求11所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该至少一存储子单元包括一晶体管形成于一基板的之上，且其中该程序化操作包括施加一正电压至该晶体管的一栅极及施加一负电压至该基板。
13.如权利要求8所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该抹除程序包括施加一预程序化脉冲至该存储单元的该这些存储子单元。
14.如权利要求8所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该抹除程序包括施加一抹除脉冲至该存储单元的该这些存储子单元。
15.如权利要求8所述的非挥发存储器装置，其特征在于，该抹除程序包括施加一软程序化脉冲至该存储单元的该这些存储子单元。
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