[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有包含半导体元件的电路的半导体装置，特别是涉及包含被配置为驱动发光元件的电路的半导体装置，这里，通过使用半导体薄膜等在基板上设置所述电路。

背景技术

近年来，预计包含诸如电致发光(EL)元件和/或发光二极管(LED)元件的发光元件的自发光型显示装置将作为下一代显示装置而出现。与液晶显示(LCD)装置不同，自发光型显示装置不包含背光并且具有降低的视角依赖性。在所有自发光型显示装置之中，包含作为电流控制型发光元件的有机EL元件的显示装置(即有机EL显示装置)已受到关注。在有源矩阵型有机EL显示装置中，对于布置在显示区域上的像素电路(以下常简称为像素)和发光元件、以及设置在像素电路周围并且产生向像素电路传送的信号的电路，使用薄膜晶体管(TFT)。

为了提高显示装置的图像质量，已大量寻求高精细像素，即较小的像素。但是，在大多数情况下，包含于有机EL显示装置的像素电路中的TFT元件的数量比包含于LCD装置的像素电路中的TFT元件的数量大。并且，由于电流通过有机EL元件以使有机EL元件发光，因此应在显示区域上布置电源线。因此，对于实现有效获得高精细像素的布局的方式，应给予足够的考虑。

作为示例性的高精细像素布局，在日本专利No.03922227中已公开了将被配置为驱动各像素电路的有机EL元件的驱动TFT的源极连接到被两个相邻像素共享的电源线的方法的发明。由于通过使用单个直线的半导体区域设置两个晶体管，因此获得高的布局效率。

但是，为了减小布置像素的节距(pitch)X1以响应于对高精细像素的进一步要求，应以提高的效率来布置具有大的像素面积的份额的驱动TFT。虽然如日本专利No.03922227的情况那样源极接触焊盘(pad)被两个像素共享，但是，在高精细显示装置中，对于两个像素设置的驱动晶体管的长度不落入像素的较小的节距内。在这种情况下，可能变得难以布置驱动TFT。如果驱动TFT的尺寸减小，那么元件性能的变化增大，并且，由于电流密度增大，因此驱动TFT的劣化加速，这降低显示装置的质量。

发明内容

本发明提供有效地在小节距像素中布置驱动TFT的方法。

根据本发明的实施例，提供一种包括布置于基板上的多个电路的半导体装置，这里，所述电路包含晶体管，所述晶体管包含半导体层，所述半导体层包含：第一接触焊盘；第一部分，所述第一部分与所述第一接触焊盘连接，并且沿与布置所述电路的节距的短方向相交的方向延伸；第二部分，所述第二部分沿与布置所述电路的节距的短方向相交的所述方向从所述第一部分延伸；和第二接触焊盘，这里，所述第一部分和所述第二部分设置在所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘之间，并且，所述第二部分夹着(across)绝缘层与电极层重叠。

根据本发明的实施例，形成驱动TFT的半导体区域呈字母L形状。因此，可使得整个半导体区域的长度(即布置像素的节距的短方向)比第一接触焊盘和第二接触焊盘存在于直线上的情况中小。结果，变得即使减小布置像素的节距也可以布置具有与过去相同的尺寸的TFT。

相反，当在维持布置像素的节距的同时由具有根据本发明实施例的形状的驱动TFT替代驱动TFT时，沟道长度增大。因此，TFT的性能变化减小，例如，这增大装置的稳定性。

从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的进一步的特征将变得明显。

附图说明

图1是示出显示装置的像素电路和周边(peripheral)电路的框图。

图2是图1所示的像素电路的放大图。

图3示出根据本发明的第一实施例的像素电路的布局，所述像素电路被设置为半导体装置。

图4是沿图3所示的线IV-IV获取的截面图。

图5示出为了比较而设置的示例性像素电路的布局。

图6A示出从图3提取的半导体层和栅极金属层。

图6B示出从图5提取的半导体层和栅极金属层。

图7示出第一实施例的另一布局。

图8示出根据本发明的第二实施例的像素电路的布局。

图9示出第二实施例的另一布局。

图10是数字静物照相机系统的框图。

图11A示出根据本发明实施例的像素电路的布局。

图11B示出已知像素电路的布局。

具体实施方式

用于实现本发明的最佳方式被应用于包含诸如有机EL元件的EL元件的有源矩阵型显示装置。以下，将具体描述根据本发明实施例的有源矩阵型显示装置。