[发明专利]光掩膜的制作方法

权利要求书

1.一种光掩膜的制作方法，首先提供石英基板，在所述石英基板上依次形成二元硅化钼膜、铬金属膜以及光刻胶层；

图案化所述光刻胶层；

以所述光刻胶层为保护层，刻蚀所述铬金属膜至露出所述二元硅化钼膜；

去除所述光刻胶层；

以铬金属膜作为保护层，刻蚀所述二元硅化钼膜至露出所述石英基板；

量测硅化钼膜图案化后的铬金属膜图形的关键尺寸，并以所述铬金属膜为保护层对二元硅化钼膜进行补偿刻蚀；

去除所述铬金属膜。

2.根据权利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述铬金属膜以及所述刻蚀所述二元硅化钼膜均为干法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述进行补偿刻蚀为干法刻蚀，刻蚀时间为5～20秒。

4.根据权利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述二元硅化钼膜的在波长为193nm光源照射下透光率为0～0.3％。

5.根据权利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述铬金属膜的覆盖厚度为20～100埃，所述二元硅化钼膜的厚度为300～800埃。