[发明专利]一种去除芯片上硼斑的方法有效
| 申请号： | 201010168261.6 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102243984A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 裘立强;游佩武 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C25B1/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 芯片 上硼斑 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除芯片上硼斑的方法，其特征在于，首先，用去离子水配制ZnSO4溶液，溶液质量比为去离子水∶硫酸锌＝5∶0.8-1.2；其次，准备电解槽，直流源的阳极连接钼丝，阴极连接铜棒；然后，将所述芯片置于电解槽底，芯片的P面朝上并接触所述钼丝；接着，开始电解反应，将直流源电压调整至10-20V，电流0.8-1.8A，芯片表面析出气泡，至电流表度数为0时，反应停止，取出芯片；最后，将芯片置入HF溶液浸泡5-10分钟后用清水冲洗，完毕。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州杰利半导体有限公司，未经扬州杰利半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010168261.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
