[发明专利]一种太阳能电池用硅材料表面规则化的方法

权利要求书

1.一种太阳能电池用硅材料表面规则化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗基片后，吹干；

步骤2、在基片表面沉积一层厚度为50nm-500nm的特定薄膜，该特定薄膜为氧化硅薄膜，氮化硅薄膜或镍镉薄膜；

步骤3、在特定薄膜表面涂上一层光刻胶，并采用特定掩膜图形对光刻胶图形化，所述特定掩膜图形设置为若干个规则排列的实心圆孔阵列，圆孔直径为0.1μm-10μm，相邻圆心距为0.1μm-10μm；

步骤4、刻蚀基片表面的特定薄膜，使之图形化，随后去除特定薄膜上的光刻胶；

步骤5、将2g-12g的氢氧化钾或氢氧化钠，6ml-100ml的去离子水，以及6ml-25ml的异丙醇混合在一起，配制成碱湿法腐蚀液，并加温至60℃-90℃；

步骤6、将经过步骤4图形化的基片浸入步骤5得到碱湿法腐蚀液中进行6min-40min的腐蚀；

步骤7、使用去离子水对碱腐蚀后的基片进行漂洗，再使用氮气吹干得到表面规则分布着尖锥的硅材料，所述尖锥底直径为0.1μm-10μm，尖锥高为0.5μm-30μm。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池用硅材料表面规则化的方法，其特征在于，步骤1中清洗过程是依次在丙酮、酒精、去离子水中用超声波清洗基片。