[发明专利]磁光电流传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010168763.9 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN101819225A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 焦新兵;钱波;楼柿涛;蒋春萍;王亦 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01D3/036
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 215125 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电流传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.磁光电流传感器,其特征在于:采用模块化的器件结构,包括沿光路 方向依次排列设置的光纤输入模块、光纤输入矫正模块、磁光晶体模块、光纤 输出模块及光纤输出矫正模块,其中所述磁光晶体模块包括石榴石及其上沿光 路方向依次生长形成的缓冲层、永磁薄膜及保护层,所述光纤输入矫正模块包 括相串联的光纤准直器、保偏输入光纤及光强探测器,所述光纤输出矫正模块 包括相串联的光纤准直器、保偏输出光纤及光强探测器;所述光纤输入矫正模 块与光纤输入模块的偏振分束器相关联,并与光纤输入模块一并输出至磁光晶 体模块,所述磁光晶体模块的输出相连到光纤输出模块的偏振分束器,且所述 光纤输出矫正模块与所述光纤输出模块的偏振分束器相关联。

2.根据权利要求1所述的磁光电流传感器,其特征在于:所述磁光晶体 模块的缓冲层的薄膜厚度为5nm~100μm;永磁薄膜的厚度为10nm~1cm,至 少包括钕铁硼,钐钴,铝镍钴中的一种或一种以上;所述保护层的厚度为 1nm~10μm,至少包括SiO2,SiN,Cr,Ta中的一种或一种以上。

3.根据权利要求1所述的磁光电流传感器,其特征在于:所述光纤输入 模块用于提供偏振光源,包括保偏输入光纤、输入光纤准直器、偏振分束器。

4.根据权利要求1所述的磁光电流传感器,其特征在于:所述光纤输出 模块用于提供探测及分析用输出光,包括偏振分束器、输出光纤准直器、保偏 输出光纤及光强探测器。

5.权利要求1所述的磁光电流传感器的制造方法,沿光路定位设置各模 块化构件,其特征在于:所述模块化构件中的磁光晶体模块的制备方法包括步 骤:I、采用超声波清洗并烘干石榴石,将掩膜板压贴于石榴石表面;II、将 石榴石放入薄膜生长系统中,真空环境下在石榴石表面依次生长缓冲层及永磁 薄膜;III、对生长产物升温至550℃~800℃进行二次退火;Ⅳ、室温下生长保 护层,并对永磁薄膜磁化充磁,得到磁光晶体模块。

6.根据权利要求5所述的磁光电流传感器的制造方法,其特征在于:所 述步骤II中薄膜生长的方法至少包括磁控溅射法、电子束蒸发法或脉冲激光沉 积法。

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