[发明专利]基板的制作方法及其结构无效
申请号: | 201010168786.X | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102237287A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 胡绍中;甘明吉;宋健民 | 申请(专利权)人: | 中国砂轮企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/522 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作方法 及其 结构 | ||
技术领域
本发明是关于一种在基板的制作方法及其结构,尤其是指一种在基板上制作金属线路的方法及其结构。
背景技术
近年来由于电子产业的蓬勃发展,电子产品需求渐增,因此电子产品进入多功能及高效能发展等方向。尤其是可携式电子产品种类日渐众多,需求使用量日渐增加,也使得电子产品的体积与重量的规模也越来越小,因此在电子产品中基板及其金属线路间的设计重要性亦随的增加。因此,基板及其金属线路间绝缘性、以及避免制作金属线路时湿式蚀刻对基板产生影响等问题,变得值得重视。
公知技术中,欲在金属基板(如铝基板)表面制作金属线路时,由于后续工艺中蚀刻等步骤往往会造成铝基板的侵蚀作用,故而大幅降低了铝基板的实用性。为解决此问题,若使用此铝基板时必须使用金属胶及涂布印刷方式来制作金属线路。然而,用此方式制作的金属线路会导致导电度低及无法制作所欲形成的金属线路,进而应用上受到很大的限制。
中国台湾申请第94117337号公开一种携带式电子装置外壳及其制造方法,其揭示使用类钻石薄膜层形成于铝基材表面以作为保护电子装置外壳的用途;然而,该所属领域并非如本发明应用在电路基板。另,中国台湾申请第94221298号公开一种可于导热基材表面设置绝缘散热层的特征,其中该导热基材可为一金属材料或一陶瓷材料,该绝缘散热层可为陶瓷材料、纳米碳管等。然而,若使用该申请的结构应用于基板及其金属线路的制作时,仍会造成因湿式蚀刻对基板的侵蚀,且无法有效抑止金属线路与基板之间的电性绝缘。
据此,如何改善基板制作方法以增加金属线路层与金属基板之间的电性绝缘,防止金属基板于后续制作金属线路工艺中,因湿式蚀刻所造成的破坏,进而提升在基板上制作金属线路的方法实为重要的课题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板的制作方法及其结构,以增加后续工艺中金属线路层与金属基板之间的电性绝缘,并防止金属基板于后续制作金属线路工艺中,因湿式蚀刻所造成的破坏,进而解决公知金属基板无法形成薄膜线路的问题。
为实现上述目的,本发明提供的基板制作方法,包括下列步骤:
提供一金属基板;形成一氧化层于金属基板的至少一表面;形成一化学阻障层于氧化层上;形成一中间层于化学阻障层上;形成一金属层于中间层上,其中该金属层可为铜或其合金,以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式,移除部分的中间层及金属层,使金属层形成一金属线路层;在未移除的金属线路层上亦可经表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的一表面金属层,用以增加金属线路层与芯片的黏着性;以及其后再形成一芯片层于部分表面金属层上。
此外,根据本发明的方法,可依实际需要,于该金属基板的另一表面还包括:
形成一氧化层;形成一化学阻障层于氧化层上;形成一中间层于化学阻障层上;形成一金属层于中间层上,其中,该金属层可为铜或其合金,以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层,使金属层形成一金属线路层,在未移除的金属线路层上亦可经表面处理形成镍、金、银、锡或其合金的一表面金属层,用以增加金属线路层与芯片的黏着性;以及其后再形成一芯片层于部分表面金属层上。于此,根据本发明的方法,可在金属基板两侧皆制作金属线路的结构,亦可依需要形成复数个通孔贯穿于整体结构中,以增加其散热效果。
本发明提供的基板的制作方法,包括下列步骤:
提供一金属基板;形成一氧化层于金属基板的至少一表面;形成一化学阻障层于氧化层上;形成一中间层于化学阻障层上;形成一金属层于该中间层上,其中该金属层可为铜或其合金,以湿式蚀刻或光罩蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层,使金属层形成一金属线路层,并使部分化学阻障层露出;压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上;进行蚀刻以移除部分的金属层,使金属层亦形成一金属线路层;在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层;以及形成一芯片层于部分表面金属层上;至于表面金属层可为镍、金、银、锡或其合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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