[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征是一种硅基单结氮化镓铟太阳能电池，该电池的结构为由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、In_aGa_1-aN层(5)、非故意掺杂的In_bGa_1-bN层(6)、p型掺杂的In_cGa_1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底(1)和In_aGa_1-aN层(5)为n型掺杂结构，籽晶层(2)和缓冲层(3)由氧化锌材料制成，窗口层(8)由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜(10)覆盖窗口层(8)除正面电极(9)外的区域。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：硅衬底(1)的电子浓度为5E14-2E20/cm³。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：籽晶层(2)和缓冲层(3)的厚度分别为0.01-0.1μm、0.2-2.5μm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)的厚度为0.5-3μm，电子浓度为1E16-1E19/cm⁹。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述n型掺杂In_aGa_1-aN层(5)的厚度为0.05-0.3μm，电子浓度为5E17-5E19/cm³，0.15≤a≤0.35。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的非故意掺杂的In_bGa_1-bN层(6)的厚度为0.2-0.6μm，0.45≤b≤0.65。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的p型掺杂的In_cGa_1-cN层(7)的厚度为0.05-0.2μm，空穴浓度为1E17-1E19/cm³，0.05≤c≤0.45。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的窗口层(8)的厚度为0.05-0.2μm，空穴浓度为5E17-5E19/cm³，并使用强碱处理成绒面结构。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述的电极中，正面电极(9)是金电极或镍金电极或铬金电极，厚度为0.2-5μm；背面电极(11)是银电极或银铝电极，厚度为0.5-10μm。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的减反射导电膜(10)的材料是ITO导电膜或AZO导电膜或ZnS/MgF₂膜，厚度为0.05-0.1μm。