[发明专利]相变存储器单元形成方法有效
| 申请号： | 201010168871.6 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102237492A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 形成 方法 | ||
1.一种相变存储器单元形成方法，其特征在于，包括：
提供形成有第一金属层的半导体衬底，所述半导体衬底形成有覆盖第一金属层的第一层间介质层，所述第一层间介质层表面覆盖有阻挡层和第二层间介质层，形成在第二层间介质层、阻挡层和第一层间介质层内并暴露出第一金属层的开口；
在所述开口的侧壁和底部形成粘附层；
采用第二金属层填满所述开口；
刻蚀开口内的第二金属层与阻挡层齐平；
刻蚀粘附层并使得刻蚀后的粘附层高于刻蚀后的第二金属层；
采用相变材料层填满所述开口。
2.如权利要求1所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，所述粘附层高于第二金属层0纳米至50纳米。
3.如权利要求1所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，所述粘附层的刻蚀工艺为采用Cl2与BCl3的混合气体和含碳量高的含氟气体作为刻蚀气体进行刻蚀。
4.如权利要求3所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，Cl2与BCl3的体积比为2∶1。
5.如权利要求3所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，所述碳量高的含氟气体为C4F8、C5F8或者C4F6。
6.如权利要求5所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，选用C4F8作为刻蚀气体，Cl2和BCl3的混合气体与C4F8的体积比为0.8～5。
7.如权利要求5所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，选用C4F6作为刻蚀气体，Cl2和BCl3的混合气体与C4F6的体积比为1.1～10。
8.如权利要求5所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，选用C5F8作为刻蚀气体，Cl2和BCl3的混合气体与C5F8的体积比为1～10。
9.如权利要求1所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，相变材料层为锗锑碲合金相变材料。
10.如权利要求1所述的相变存储器单元形成方法，其特征在于，阻挡层材料为氮化钛或者氮化钽。
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