[发明专利]提高通孔刻蚀稳定性的方法有效
| 申请号： | 201010168890.9 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102237298A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;韩宝东;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 刻蚀 稳定性 方法 | ||
1.一种提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，包括：
获取已完成刻蚀工艺的通孔的第一通孔孔径值；
将所述第一通孔孔径值与目标尺寸比较，得到偏差；
对所述偏差进行判断，若所述偏差小于1纳米，进行后续通孔刻蚀；
若所述偏差在1～2纳米之间，在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤或者减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量；
若所述偏差在2～5纳米之间，在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤和减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量。
2.如权利要求1所述的提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，所述预刻蚀步骤的刻蚀气体包括O2，所述减少预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量为减小预刻蚀步骤的O2流量，所述O2的流量减小1～10sccm。
3.如权利要求1所述的提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，所述清洗刻蚀腔体清洗刻蚀腔体步骤利用H2和N2，所述H2的流量范围为100～1000sccm，所述N2的流量范围为100～1000sccm，所述刻蚀腔体的压力为100～500mTorr，功率为200W～600W，所述清洗刻蚀腔体的时间为10秒～100秒。
4.如权利要求1所述的提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，所述预刻蚀步骤包括第一预刻蚀步骤、第二预刻蚀步骤、第三预刻蚀步骤，所述第三预刻蚀步骤之后包括主刻蚀步骤，所述减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量为减小第三预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量。
5.如权利要求4所述的提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，所述预刻蚀步骤的刻蚀气体包括CHF3，其流量范围为50～200sccm，所述主刻蚀步骤的刻蚀气体包括CHF3，其流量范围50～200sccm。
6.如权利要求1所述的提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，所述进行后续通孔刻蚀为对待进行通孔刻蚀产品进行通孔刻蚀。
7.如权利要求1所述的提高通孔刻蚀稳定性的方法，其特征在于，所述第一通孔孔径为后续通孔刻蚀前选取上一批次通孔刻蚀产品的通孔孔径或利用通孔刻蚀测试片进行通孔刻蚀测试获得的通孔孔径。
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