[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010169085.8 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101872720A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 野田贵三 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
沿着划线在第一保护层中形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一保护层形成在多层互连上方，所述多层互连形成在晶片的一个表面上方，在所述晶片上方形成由多条所述划线分开的多个元件形成区，并且所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每个具有小于所述划线的宽度的宽度；
在所述第一保护膜上方，形成第二保护膜，所述第二保护膜填充所述第一沟槽和所述第二沟槽并且覆盖所述第一保护膜；以及
通过在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的区域上沿着所述划线从形成有所述第二保护膜的表面执行激光切片，来形成切割沟槽，所述切割沟槽达到所述多层互连的至少预定深度。
2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中所述多层互连包括具有比SiO2的相对介电常数小的相对介电常数的低介电常数膜，以及
在形成所述切割沟槽的所述步骤中，形成所述切割沟槽，使得通过激光切片来切割所述多层互连的至少所述低介电常数膜。
3.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，
其中所述低介电常数膜是多孔膜。
4.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，在形成所述切割沟槽的所述步骤中，通过激光切片使所述切割沟槽被形成到所述晶片的至少预定深度。
5.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每个的纵横比(深度/宽度)等于或大于0.1并且等于或小于2.5。
6.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中所述第一保护膜是聚酰亚胺膜。
7.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，在形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的所述步骤中，所述第一沟槽和所述第二沟槽被形成在所述划线上方。
8.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：
在形成所述切割沟槽的所述步骤之后，用切片刀片沿着所述多条划线将所述晶片切割成多个部分，每个部分包括所述多个元件形成区中的每个，
其中所述切片刀片的宽度小于所述切割沟槽的外端部之间的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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