[发明专利]闪耀凸面光栅的反应离子束蚀刻方法

权利要求书

1.一种闪耀凸面光栅的反应离子束蚀刻方法，特征在于该蚀刻方法包括以下步骤：

步骤一、凸面光栅掩模石英基片的放置；

步骤二、若凸面光栅掩模石英基片的球半径为R，要制成的闪耀凸面光栅的闪耀角为θ，则将离子束方向与光栅顶点处刻线所在平面成θ角；

步骤三、制作蚀刻狭缝；

步骤四、狭缝的放置；

步骤五、蚀刻凸面光栅。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，特征在于所述步骤一中，凸面光栅掩模石英基片的放置，是将槽形为正弦型的凸面光栅掩模石英基片放置在一个回转工作台上，球心在回转工作台的回转轴上；凸面光栅掩模顶点处刻线所在平面经过回转轴，其余刻线所在平面平行于回转轴。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，特征在于所述步骤三中，所述的狭缝是一个二次锥面，宽度长度由凸面光栅掩模石英基片外形尺寸决定，只要大于基片外形尺寸即可。

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，特征在于所述步骤四中，所述狭缝到凸面光栅掩模石英基片的顶点的距离大于狭缝的上下圆弧线与凸面光栅掩模石英基片顶点的圆弧刻线有相同回转中心轴。

5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，特征在于所述步骤五中，蚀刻区域为相对于角度的凸面光栅掩模圆弧面上的光栅刻线。蚀刻完成后由回转工作台旋转角度再进行第二次蚀刻，直到凸面光栅掩模的整个圆弧面全部蚀刻结束为止。