[发明专利]对多晶硅的精细电阻调节

权利要求书

1.一种数模转换器装置，包括：

以串的方式连接的多个电阻性元件；

多个电场施加器电路，所述多个电场施加器电路中的每一个耦合至所述电阻性元件中相应的一个，从而至少两个电阻性元件耦合有电场施加器电路，所述电场施加电路响应于相应的控制电压产生电场以调节电压系数，从而调节相应的耦合的电阻性元件的电阻值；

控制电压发生器，所述控制电压发生器用于将所述控制电压施加至所述多个电场施加器电路，从而各个控制电压与其他控制电压无关，其中所述控制电压发生器还包括：

存储器，所述存储器用于存储表示所述控制电压的数字信息；以及

辅助数模转换器，所述辅助数模转换器从所述存储器接收所述数字信息，并为所述相应的电压源中的每一个产生所述控制电压。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件分别包括多晶硅电阻器分段，而所述电场施加器电路包括：

设置在所述多个多晶硅电阻器分段中的每一个下方的扩散阱；以及

设置在所述多晶硅电阻器分段中的每一个上方的金属区。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述扩散阱是N阱或P阱。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件分别包括多晶硅电阻器分段，而所述电场施加器电路包括：

设置在所述多个多晶硅电阻器分段中的每一个下方的第二多晶硅分段；以及

设置在所述多晶硅电阻器分段中的每一个上方的金属区。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件分别包括多晶硅电阻器分段，而所述电场施加器电路包括：

设置在所述多个多晶硅电阻器分段中的每一个下方的扩散阱；以及

设置在所述多晶硅电阻器分段中的每一个上方的第二组多晶硅分段。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述扩散阱是N阱或P阱。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述数模转换器是电阻器串、有缓冲器的分段R-DAC、无缓冲器的分段R-DAC或R2R DAC。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述数模转换器是分段R-DAC，且仅第一分段的所述电阻性元件耦合至调节其电阻值的电场施加器电路。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件还包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管的部分。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件还包括：

场氧化物和/或浅槽隔离(STI)区域中的至少一个，以在所述MOS晶体管的栅极下方形成耗尽区。

11.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件还包括：

放置在形成于P阱内的NMOS型晶体管上的场氧化物层。

12.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述电阻性元件还包括：

放置在PMOS型晶体管上方的场氧化物层。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

控制电路系统，所述控制电路系统用于在制造测试过程中确定表示所述控制电压的数字信息。

14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

控制电路系统，所述控制电路系统用于在所述数模转换器工作期间确定表示所述控制电压的数字信息。

15.一种操作数模转换器装置的方法，包括：

对多个电阻性元件中相应的一个施加多个电场，以使至少两个电阻性元件被施加电场；

响应于相应的控制电压产生所述电场，以独立地调节所述电阻性元件中的每一个的电压系数；

在存储器中存储表示所述控制电压的信息；以及

将存储在所述存储器中的所述信息转换成模拟电压，所述控制电压从所述模拟电压导出。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述存储信息的步骤在制造测试过程中执行，而且所述存储器是非易失性存储器。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述存储信息的步骤在所述数模转换器的现场工作期间执行，且所述存储器是易失性存储器。