[发明专利]氮化物半导体光学元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体光学元件，包含：

衬底；

有源层，其由含有Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成，且设置在所述衬底上；

第一保护膜，其至少设置在所述有源层的发光端面上；和

第二保护膜，其设置在所述第一保护膜上，

所述第一保护膜与构成所述发光端面的半导体接触，以及

所述第一保护膜的与所述半导体接触的部分由具有金红石结构的TiO₂膜构成。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体光学元件，

其中在所述第一保护膜中，从所述半导体观察，依次设置有所述具有金红石结构的TiO₂膜和缓冲膜。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体光学元件，

其中设置有所述第一保护膜，使得缓冲膜保持在其两侧的所述具有金红石结构的TiO₂膜之间，以及

所述具有金红石结构的TiO₂膜被分别设置，使得一部分与所述半导体接触，一部分与所述第二保护膜接触。

4.如权利要求2所述的氮化物半导体光学元件，

其中所述缓冲膜含有无定形TiO₂膜。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体光学元件，

其中所述第二保护膜的折射率比所述第一保护膜小。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体光学元件，

其中所述第二保护膜含有Al₂O₃。

7.一种制造氮化物半导体光学元件的方法，包括：

在衬底上形成具有有源层的堆叠结构，所述有源层由含有Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成；以及

至少在所述有源层的发光端面上设置第一保护膜和第二保护膜，

设置所述第一保护膜，使得其与构成所述发光端面的半导体接触，以及

所述第一保护膜的与所述半导体接触的部分由具有金红石结构的TiO₂膜构成。