[发明专利]高介电常数聚酰亚胺树脂基三元杂化材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010170040.2 申请日: 2010-04-26
公开(公告)号: CN102234423A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 陈桥;吴祯琪;吴刚 申请(专利权)人: 东丽纤维研究所(中国)有限公司
主分类号: C08L79/08 分类号: C08L79/08;C08K13/06;C08K9/02;C08K3/04;C08K5/544;C08G73/10;H01G4/18;H01G4/33
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226009 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 介电常数 聚酰亚胺 树脂 三元 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:该杂化材料的原料由如下质量份组分组成:

聚酰亚胺              100

氧化石墨              0.1~5

低聚倍半硅氧烷        0.1~10;

其中,聚酰亚胺由二酸酐单体和二胺单体组成,所述二胺单体与二酸酐单体的摩尔比为1∶1~1.20。

2.根据权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:该杂化材料的原料由如下质量份组分组成:

聚酰亚胺            100

氧化石墨            0.5~1

低聚倍半硅氧烷      1~5;

其中,聚酰亚胺由二酸酐单体和二胺单体组成,所述二胺单体与二酸酐单体的摩尔比为1∶1~1.20。

3.根据权利要求1或2所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:所述的氧化石墨的径厚比为100~2000。

4.根据权利要求1或2所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:所述低聚倍半硅氧烷的通式为

[(RSiO1.5)m(XSiO1.5)n]            式(1);

其中:m≥3,n≥0,12≥m+n≥6,且m+n为偶数;

R为氢原子、有取代基或无取代基的烷基、环烷基、链烯基、环烯基、芳基、环氧基、硅烷基、丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯;其中,所述取代基选自于C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C2~C6的链烯基、C3~C6的环烯基、芳基、环氧基、或硅烷基中的一种或多种;

X为羟基、环氧基、羧基、卤素、氟烷基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、腈基、氨基、或者含有羟基、环氧基、羧基、卤素、氟烷基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、腈基或氨基的R基团。

5.根据权利要求4所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:所述低聚倍半硅氧烷的通式为

[(R’SiO1.5)m1(X’SiO1.5)n1]                式(2);

其中:

m1≥3,n1≥0,12≥m1+n1≥6,且m1+n1为偶数;

R’为氢原子、有取代基或无取代基的烷基、环烷基、芳基、环氧基或硅烷基;其中,所述取代基选自于C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C2~C6的链烯基、C3~C6的环烯基、芳基、环氧基、或硅烷基中的一种或多种;

X’为氨基或者含有氨基的R’基团。

6.根据权利要求1或2所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:所述的二酸酐单体为均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯酮四酸二酐、3,3’,4,4’-二苯醚四酸二酐或3,3’,4,4’-联苯四酸二酐。

7.根据权利要求1或2所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于所述的二胺单体为4,4’-二氨基二苯醚、对-苯二胺或间-苯二胺。

8.一种制备权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料的方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)将氧化石墨分散于有机溶剂中,室温下超声2~20小时使其分散均匀成为氧化石墨分散液;

(2)在惰性气体的保护下,将二胺单体加入氧化石墨分散液中,搅拌,待溶解后向其中加入二酸酐单体;加料完成后,在惰性气体的保护下,10~35℃下反应1~3小时,得到聚酰胺酸/氧化石墨杂化溶液;

(3)将低聚倍半硅氧烷溶于有机溶剂中,再将其加入聚酰胺酸/氧化石墨杂化溶液中,加料完成后,在惰性气体的保护下,10~35℃下反应10~30小时,得到聚酰胺酸/氧化石墨-低聚倍半硅氧烷杂化溶液;

(4)将聚酰胺酸/氧化石墨-低聚倍半硅氧烷杂化溶液在250~300℃下进行2~4小时的酰亚胺化反应后,得到具有高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料;

其中,步骤(2)中二胺单体与二酸酐单体的质量份数和为100,二胺单体与二酸酐单体的摩尔比为1∶1~1.20。

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