[发明专利]具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管，其特征在于：在永久基板上形成第二焊接金属；在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上，在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层，在金属反射层上形成第一焊接金属；氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；第一电极形成于氮化镓基外延层顶面，第二电极形成于永久基板底面。

2.具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其步骤如下：

1)提供一临时基板，并在临时基板上形成氮化镓基外延层；

2)在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层；

3)在氧化铟锡导电层上形成布布拉格反射层；

4)在分布布拉格反射层中形成开口结构，使分布布拉格反射层呈网格状分布并暴露出氧化铟锡导电层表面的一部分；

5)在分布布拉格反射层与氧化铟锡导电层的表面暴露部分上形成金属反射层，并填满上述开口结构；

6)在金属反射层上形成第一焊接金属；

7)选择一永久基板，在永久基板上形成第二焊接金属；

8)将步骤1)至6)形成的氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；

9)去除临时基板；

10)分别在去除临时基板后的氮化镓基外延层顶面、永久基板底面形成第一电极、第二电极；

11)切割得氮化镓基垂直发光二极管。

3.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：临时基板选用蓝宝石、SiC基板或前述的组合之一。

4.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：永久基板选用Si、SiC、Cu、Ni基板或前述的组合之一。

5.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：分布布拉格反射层由交替的高折射率和低折射率材料层组成。

6.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：分布布拉格反射层的高折射率层材料选自TiO、TiO₂、Ti₃O₅、Ti₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂或前述的任意组合之一。

7.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：分布布拉格反射层的低折射率层材料选自SiO₂、SiN_X、Al₂O₃或前述的任意组合之一。

8.如权利要求5、6或7所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：呈网格状分布的分布布拉格反射层的图案形状为矩形、圆形或多边形。

9.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：金属反射层材料选用Al、Ag或前述的任意组合之一。

10.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：第一焊接金属及第二焊接金属选用Au或Au的合金。

11.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征是：氮化镓基外延层与永久基板粘合方式选用共晶键合或熔融键合。

12.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管的制备方法，其特征在于：临时基板的去除方式采用激光剥离、机械研磨、湿法腐蚀或前述任意两种方式的结合之一。