[发明专利]激发表面等离子体的纳米光刻方法无效
| 申请号： | 201010171072.4 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101846880A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李海华;王庆康;朱明轩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激发 表面 等离子体 纳米 光刻 方法 | ||
1.一种激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
第一步、利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板；
第二步、在石英模板的底面沉积一层金属膜作为掩模板；
第三步、在基片上甩涂一层光刻胶，并采用平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基片曝光及显影，实现纳米光刻。
2.根据权利要求1所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的三角形Kretschmann棱镜结构具体为三角形棱柱结构的基板。
3.根据权利要求2所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的三角形棱柱结构具体为等腰三角形。
4.根据权利要求3所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的等腰三角形的底角为：45-65度。
5.根据权利要求1所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的金属膜为金、银或铝。
6.根据权利要求5所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的金属膜的厚度为：20-100纳米。
7.根据权利要求1所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的基片为半导体、金属或绝缘体，所述的光刻胶的厚度为：50-200纳米。
8.根据权利要求1所述的激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征是，所述的对涂有光刻胶的基片曝光及显影是指：采用接触式曝光，曝光时间为：30-90秒，显影时间为：20-60秒。
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