[发明专利]多层堆栈封装的发光二极管

权利要求书

1.一种多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，包含：

一发光二极管芯片，被驱动时产生一LED光；

一第一荧光粉层，配置于该LED芯片上并具有多个第一荧光粉，该第一荧光粉被该LED光激发而产生一第一激发光；

一第一光学带通滤光层，配置于该第一荧光粉层上并使该LED光及该第一激发光通过；以及

一第二荧光粉层，配置于该第一光学带通滤光层上并具有多个第二荧光粉，该第二荧光粉被该LED光激发而产生一第二激发光，且该第二激发光的波长短于该第一激发光的波长。

2.如权利要求1所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该第一光学带通滤光层反射该第二激发光，且该LED光的波长短于该第二激发光的波长。

3.如权利要求2所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该LED光的中心波长介于430nm至500nm，该第一激发光的中心波长介于610nm至780nm，该第二激发光的中心波长介于540nm至560nm。

4.如权利要求2所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该第一荧光粉层的厚度介于100微米及300微米之间。

5.如权利要求2所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该第二荧光粉层的厚度介于100微米及300微米之间。

6.如权利要求2所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，另包含：

一第二光学带通滤光层，配置于该第二荧光粉层上并使该LED光、该第一激发光及该第二激发光通过；以及

一第三荧光粉层，配置于该第二光学带通滤光层上并具有多个第三荧光粉，该第三荧光粉被该LED光激发而产生一第三激发光，且该第三激发光的波长短于该第二激发光的波长。

7.如权利要求6所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该第二光学带通滤光层反射该第三激发光。

8.如权利要求6所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该第三荧光粉层的厚度介于100微米及300微米之间。

9.如权利要求6所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该LED光的波长短于该第三激发光的波长。

10.如权利要求9所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该LED光的中心波长介于320nm至380nm，该第一激发光的中心波长介于610nm至780nm，该第二激发光的中心波长介于530nm至560nm，该第三激发光的中心波长介于380nm至500nm。

11.如权利要求9所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该LED光的中心波长介于430nm至500nm，该第一激发光的中心波长介于610nm至780nm，该第二激发光的中心波长介于555nm至580nm，该第三激发光的中心波长介于540nm至555nm。

12.如权利要求1所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，另包含一封装体，该封装体被夹置于该第一荧光粉层与该LED芯片之间。

13.如权利要求12所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该封装体具有一斜侧边，且该封装体相对于设置该LED芯片的一表面为一出光面，该斜侧边将来自该LED芯片的该LED光朝该出光面反射。

14.如权利要求12所述的多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，该第一荧光粉层的一折射率大于该封装体的一折射率。

15.一种多层堆栈封装的发光二极管，其特征在于，包含：

一发光二极管芯片，被驱动时产生一LED光；

一第一荧光粉层，该第一荧光粉层的厚度介于100微米及500微米之间，该第一荧光粉层配置于该LED芯片上并具有多个第一荧光粉，该第一荧光粉被该LED光激发而产生一第一激发光；以及

一第二荧光粉层，该第二荧光粉层厚度介于100微米及500微米之间，该第二荧光粉层配置于该第一荧光粉层上并具有多个第二荧光粉，该第二荧光粉被该LED光激发而产生一第二激发光，且该LED光的波长短于该第二激发光的波长，该第二激发光的波长短于该第一激发光的波长。