[发明专利]线栅偏振器

权利要求书

1.一种线栅偏振器，在基板上以比光的波长短的间隔平行地配置有作为光栅线的多个金属线，其特征在于，

在光栅线的表面上层叠有由包括金属氮化物、金属砷化物、金属磷化合物以及金属与锑的化合物的组中所选择的1种以上的半导体化合物构成的层。

2.如权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，

半导体化合物的折射率的虚部为0.001以上且3.0以下。

3.如权利要求1或2所述的线栅偏振器，其特征在于，

半导体化合物为从包括AlAs、GaAs、InGaAs、GaP、InP、GaN、InN、InGaN、AlN、AlGaN、GaSb及InGaSb的组中所选择的1种以上的半导体化合物。

4.一种线栅偏振器，其特征在于，

包括：透明基板；

形成于所述透明基板上的条纹状的多个金属线；和

形成于所述金属线上的光吸收层，

所述光吸收层由半导体化合物构成，

设所述半导体化合物的折射率n_m的实部为n_r，虚部为n_j，i为虚数单位，折射率n_m＝n_r+i×n_j，所述光吸收层的厚度为dt时，在300nm以上且850nm以下的波长范围内，构成所述光吸收层的所述半导体化合物满足以下所有关系式：

10nm≤dt≤80nm；

1.8≤n_r≤5.7；

0.001≤n_j≤3.0。

5.如权利要求4所述的线栅偏振器，其特征在于，

设所述金属线的排列周期为PL时，0＜PL＜400nm。

6.如权利要求4或5所述的线栅偏振器，其特征在于，

设1个所述金属线的宽度为MW，所述金属线的面内的填充率FF＝MW/PL时，还满足以下关系式：

0＜FF≤50％。

7.一种线栅偏振器，其特征在于，

包括：透明基板；

形成于所述透明基板上的条纹状的多个金属线；和

形成于所述金属线上的光吸收层，

所述光吸收层由半导体化合物构成，

设所述半导体化合物的折射率n_m的实部为n_r，虚部为n_j，i为虚数单位，折射率n_m＝n_r+i×n_j，所述光吸收层的厚度为dt时，在380nm以上且780nm以下的波长范围内，构成所述光吸收层的所述半导体化合物满足以下所有关系式：

20nm≤dt≤80nm；

2.5≤n_r≤5.7；

0.001≤n_j≤3.0。

8.如权利要求7所述的线栅偏振器，其特征在于，

设所述金属线的排列周期为PL时，0＜PL＜400nm。

9.如权利要求7或8所述的线栅偏振器，其特征在于，

设1个所述金属线的宽度为MW，所述金属线的面内的填充率FF＝MW/PL时，还满足以下关系式：

0＜FF≤50％。