[发明专利]10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，包括如下步骤：

(A)将一衬底烘干、脱氧，以其作为量子阱红外探测器的承载体；

(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层，以及N型掺杂的上欧姆接触层；

(C)采用光刻及湿法刻蚀技术，将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀，使下欧姆接触层的一侧形成一台面；

(D)采用机械抛光的方法，将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角，形成入射光窗口；

(E)烘干；

(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极；

(F)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。

2.根据权利要求1所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中衬底是在400℃下烘干，上、下欧姆接触层及量子阱层均是在600℃下生长。

3.根据权利要求1所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中衬底为GaAs半绝缘衬底。

4.根据权利要求1所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中上、下欧姆接触层的厚度分别为0.5微米，以硅作为n型掺杂源，掺杂浓度5.0×10¹⁷cm^-3。

5.根据权利要求1所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中量子阱层为一个量子阱周期结构，周期数为50，该量子阱层的材料为GaAs/Al_xGa_1-xAs，该GaAs为势阱结构，该Al_xGa_1-xAs为势垒结构，该50个周期的量子阱层的最上层再覆盖一层Al_xGa_1-xAs层。

6.根据权利要求5所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中量子阱层的量子阱周期结构中，作为势阱的GaAs层厚度为7纳米，以硅做n型掺杂源，掺杂浓度为3.0×10¹⁷cm^-3。

7.根据权利要求5所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中量子阱层的量子阱周期结构中，作为势垒的Al_xGa_1-xAs层的铝组分x选用0.14，厚度为60纳米。

8.根据权利要求4所述的10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，其中第一、第二n型电极的材料为Au/Ge/Ni。