[发明专利]一种在硅片上复合In2O3花状纳米结构的半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种在硅片上复合In₂O₃花状纳米结构的半导体材料，其特征在于：该材料包括硅片衬底及生长在该衬底表面的In₂O₃晶体；所述In₂O₃晶体为花状纳米结构，其花瓣为带刺棒状纳米结构，棒的长度为40～80μm，刺的长度为0.8～4.6μm，刺状纳米结构整齐地排列在棒状纳米结构的表面上。

2.一种权利要求1所述半导体材料的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

a、将Sn粉、In₂O₃粉和C粉以1∶10∶30的摩尔比混合，作为源放到石英舟里，将清洗后的硅片盖在石英舟上，硅片与源的垂直距离为4～10mm；

b、将石英舟置于预先加热至700～1000℃、水平放置的管式生长炉的中部；

c、管式生长炉中通入惰性气体Ar作为载气，在大气压强下反应120～240min；

d、取出石英舟和硅片，得到在硅片上复合In₂O₃花状纳米结构的半导体材料；

其中：步骤a中所述Sn粉的纯度为99.5％；所述In₂O₃粉的纯度为分析纯；所述C粉的纯度为光谱纯；步骤c中所述通入的惰性气体Ar的流量为0.2～0.6L/min。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述水平放置的管式生长炉由两根管组成，其中一根管长为70～100cm，直径为6～10em；另一根管长为50～80cm，直径为3～5cm；反应时，小口径管插入大口径管中，载气是直接通入到小口径管中。