[发明专利]钒酸钇系列晶体生长自动控制的方法无效

专利信息
申请号: 201010172326.4 申请日: 2010-05-12
公开(公告)号: CN102242398A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 曹顿华;王渊峰 申请(专利权)人: 上海伟钊光学科技有限公司
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201818 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 钒酸钇 系列 晶体生长 自动控制 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及钒酸钇(YVO4)系列晶体生长自动控制的方法。属晶体材料生产领域。

技术背景

钒酸钇晶体是一种优秀的双折射光学晶体,是一种重要光学材料,在光电产业中得到非常广泛的应用。由于钒酸钇晶体基质本身的一些特殊性质,如结晶速度过快,热惯性大等,长期以来该类晶体的生长仍一直采用人工控制的方式,质量波动较大,生产成本居高不下。

发明内容

由于钒酸钇晶体基质本身的一些特殊性质,如结晶速度过快,热惯性大等,长期以来该类晶体的生长仍一直采用人工控制的方式,质量波动较大。

本发明提出了一种钒酸钇系列晶体生长自动控制的方法。关键的技术原理是:在中频感应提拉炉中加装一套重量传感器,把经过放大的重量信号和中频反馈信号合并后输入控制器,并与设定的程序进行比较,进而控制输出功率,形成一实时闭环控制回路,实现晶体生长的自动控制。

本发明采用的系统主要包括:重量传感器,信号放大器,欧路控制器,中频感应提拉炉。

采用该方法的钒酸钇晶体生长装置以中频感应提拉炉为基础,加装一套重量传感器,同时在控制系统中增加一个信号放大器,把重量传感器的信号进行放大,输入到控制器,自动控制中频感应提拉炉的有关参数,提高了钒酸钇晶体的质量水平。

附图说明

钒酸钇晶体提拉法生长自动控制系统框架图

具体实施方式

以下结合实例说明钒酸钇晶体生长自动控制的方法

采用该方法的钒酸钇晶体生长装置以中频感应提拉炉为基础,加装一套重量传感器,同时在控制系统中增加一个信号放大器,把重量传感器的信号进行放大,同时输入到高精度的3504欧路控制器,自动控制中频感应提拉炉的有关参数,提高了钒酸钇晶体的质量水平。

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