[发明专利]钒酸钇系列晶体生长自动控制的方法无效
申请号: | 201010172326.4 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN102242398A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 曹顿华;王渊峰 | 申请(专利权)人: | 上海伟钊光学科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201818 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钒酸钇 系列 晶体生长 自动控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及钒酸钇(YVO4)系列晶体生长自动控制的方法。属晶体材料生产领域。
技术背景
钒酸钇晶体是一种优秀的双折射光学晶体,是一种重要光学材料,在光电产业中得到非常广泛的应用。由于钒酸钇晶体基质本身的一些特殊性质,如结晶速度过快,热惯性大等,长期以来该类晶体的生长仍一直采用人工控制的方式,质量波动较大,生产成本居高不下。
发明内容
由于钒酸钇晶体基质本身的一些特殊性质,如结晶速度过快,热惯性大等,长期以来该类晶体的生长仍一直采用人工控制的方式,质量波动较大。
本发明提出了一种钒酸钇系列晶体生长自动控制的方法。关键的技术原理是:在中频感应提拉炉中加装一套重量传感器,把经过放大的重量信号和中频反馈信号合并后输入控制器,并与设定的程序进行比较,进而控制输出功率,形成一实时闭环控制回路,实现晶体生长的自动控制。
本发明采用的系统主要包括:重量传感器,信号放大器,欧路控制器,中频感应提拉炉。
采用该方法的钒酸钇晶体生长装置以中频感应提拉炉为基础,加装一套重量传感器,同时在控制系统中增加一个信号放大器,把重量传感器的信号进行放大,输入到控制器,自动控制中频感应提拉炉的有关参数,提高了钒酸钇晶体的质量水平。
附图说明
钒酸钇晶体提拉法生长自动控制系统框架图
具体实施方式
以下结合实例说明钒酸钇晶体生长自动控制的方法
采用该方法的钒酸钇晶体生长装置以中频感应提拉炉为基础,加装一套重量传感器,同时在控制系统中增加一个信号放大器,把重量传感器的信号进行放大,同时输入到高精度的3504欧路控制器,自动控制中频感应提拉炉的有关参数,提高了钒酸钇晶体的质量水平。
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