[发明专利]用于存储总线接口的PCM存储器

权利要求书

1.一种用于非易失性存储器阵列的存储控制器，该控制器包括：

耦合到外部总线以与外部设备传送读取和写入指令的外部总线接口；

耦合到存储器阵列以在所述存储器阵列上执行读取和写入的存储器阵列接口；以及

将期望值写入所述存储器阵列的期望地址的重写模块。

2.根据权利要求1所述的控制器，其中所述外部总线接口是闪存接口。

3.根据权利要求2所述的控制器，其中所述存储器阵列接口是相变存储器接口。

4.根据权利要求1所述的控制器，其中所述重写模块使用第一参数和第二参数，所述第一参数为将要被重写的存储单元的地址，所述第二参数为被用来重写该单元的值。

5.根据权利要求4所述的控制器，其中所述重写模块在不考虑要被重写的单元中的当前值的情况下进行操作。

6.根据权利要求1所述的控制器，该控制器还包括写入范围模块以对地址范围内的存储器阵列的所有单元写入单一指定值。

7.根据权利要求6所述的控制器，其中用于所述写入范围模块的地址范围被设置为非易失性存储器范围内可用地址范围内的任意范围。

8.根据权利要求6所述的控制器，其中所述写入范围模块使用第一参数和第二参数，所述第一参数为要被写入的单元的地址范围，所述第二参数为所述单一指定值。

9.根据权利要求1所述的控制器，该控制器还包括耦合到所述存储器阵列接口的非易失性存储器阵列。

10.根据权利要求1所述的控制器，其中所述存储器阵列、所述存储器阵列接口以及所述重写模块形成在单一晶片上。

11.根据权利要求1所述的控制器，该控制器还包括耦合到闪存阵列的闪存阵列接口以在所述闪存阵列上执行读取和写入，该控制器还包括用于擦除所述闪存阵列的存储块的块擦除模块。

12.一种存储设备，该存储设备包括：

相变存储器阵列；

耦合到所述相变存储器阵列的相变存储器阵列接口；

耦合到外部闪存总线的外部闪存总线接口；以及

耦合到所述相变存储器阵列接口和所述外部闪存总线接口的存储控制器，该存储控制器用于响应于来自所述外部闪存总线接口的命令来通过所述相变存储器阵列接口控制对所述相变存储器阵列的读取和写入。

13.根据权利要求12所述的存储设备，该存储设备还包括：

闪存阵列；以及

耦合到所述存储控制器的闪存阵列接口，

其中，所述存储控制器还响应于来自所述外部闪存总线接口的命令来通过所述闪存阵列接口控制对所述闪存阵列的读取和写入。

14.根据权利要求13所述的存储设备，其中所述存储控制器还包括用于将期望值写入所述相变存储器阵列的期望地址的重写模块以及用于擦除所述闪存阵列的单元块的块擦除模块。

15.根据权利要求14所述的存储设备，其中所述存储控制器还包括写入范围模块，该写入范围模块用于对地址范围内的存储器阵列的所有单元写入单一指定值。

16.一种方法，该方法包括：

在存储控制器处通过闪存总线控制器接口接收写入命令，该写入命令包括逻辑地址和位值；以及

通过相变存储器阵列接口写入相变存储器阵列，该相变存储器阵列接口将所述逻辑地址重映射到物理地址，并将所述位值写入到所述物理地址处的相变存储器单元。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述位值是“1”，以及写入所述位值包括在不擦除的情况下写入位值“1”。

18.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括将接收到的用于应用的写入命令转换到所述相变存储器阵列。